AI 메모리 성능이 높아질수록 칩을 얼마나 많이, 얼마나 촘촘하게 쌓을 수 있는지가 중요해집니다.

기존에는 칩 사이를 마이크로 범프로 연결했지만, 범프가 차지하는 공간 때문에 적층 수와 성능에 한계가 있었는데요.

🔎 Hybrid Bonding은 칩을 적층할 때 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합하는 기술입니다. 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해지며, 16단 이상의 HBM 제품에서 필요성이 검토되고 있습니다.

💡 SK하이닉스는 차세대 HBM을 위해 어드밴스드 MR-MUF와 Hybrid Bonding 기술을 함께 검토하며 더 높은 성능의 메모리를 준비하고 있습니다. Hybrid Bonding, 이제는 쉽게 기억해 보세요!

– 본 영상은 SK하이닉스 대학생 앰버서더 활동의 일환으로 제작되었습니다.