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“AI의 급격한 성장 뒤에는 메모리가 있다”… SK하이닉스, ‘TSMC OIP Conference’서 차세대 메모리 포트폴리오 공유

SK하이닉스는 미국 TSMC OIP 컨퍼런스에서 HBM4 · SOCAMM2 등 AI 메모리 · SSD 포트폴리오를 공개하고, HBM5-CoWoS 협업 성과로 2년 연속 ‘올해의 파트너상’을 수상했다.
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“AI의 급격한 성장 뒤에는 메모리가 있다”… SK하이닉스, ‘TSMC OIP Conference’서 차세대 메모리 포트폴리오 공유

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SK하이닉스가 지난 23일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라(Santa Clara)에서 열린 TSMC Open Innovation Platform(이하 OIP) Conference에 참가해 차세대 메모리 포트폴리오와 개발 전략을 공유하고, TSMC로부터 2년 연속 ‘올해의 파트너상(Partner of the Year Award)’을 수상하며 단단한 협력 관계도 다시 한번 확인했다.

OIP는 TSMC가 반도체 생태계를 함께 구성하는 기업들과 기술을 개발하고 협업하기 위해 운영 중인 개방형 혁신 플랫폼으로, TSMC는 매년 하반기 OIP 참여 기업과 주요 고객사를 초청해 세계 각국에서 컨퍼런스를 열고, 활발한 기술 교류를 펼쳐왔다. SK하이닉스는 2024년부터 이 컨퍼런스에 참가해, 전시와 발표를 통해 AI 메모리 기술 역량을 소개해 오고 있다.

최근 AI 반도체 생태계에서는 기업 간 협력이 그 어느 때보다 촘촘해지고 있다. 설계와 제조, 메모리와 로직이 각자의 영역에서 최적화를 이루던 시대를 지나, 이제는 초기 단계부터 함께 설계하고 검증하는 방식이 자리 잡고 있다. 이 가운데 열린 올해 TSMC OIP Conference는 이러한 변화에 발맞춘 최신 기술 개발 트렌드를 살펴보고, 새로운 협업 기회를 모색하는 자리가 됐다. SK하이닉스 역시 보유한 기술 역량과 제품 라인업을 알리는 한편, TSMC를 비롯한 핵심 파트너들과의 협업 관계를 더 구체화하고 확장하는 데 집중했다.

슈퍼칩 속 SK하이닉스를 만나다… AI와 함께 발전한 HBM 기술력 입증

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▲ AI 시대 메모리의 중요성을 강조하는 메시지를 담은 SK하이닉스 전시부스 디자인

SK하이닉스는 이번 전시의 슬로건으로 ‘The Memory behind the Intelligence at Scale’을 내세웠다. 이를 통해 AI 기술이 발전하면서 적용 분야도 빠르게 확대되고 있는 산업 전반의 흐름을 짚는 동시에, 이러한 성장세를 이어가려면 메모리 기술이 뒷받침돼야 한다는 메시지도 담았다. 전시 구성에도 이러한 메시지가 반영돼, HBM*부터 서버 D램과 eSSD에 이르기까지 AI 연산과 데이터 저장을 돕는 다양한 계층의 메모리 설루션들을 선보였다.

* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 용량을 높이고 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨

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▲ SK하이닉스의 HBM4 36GB 12단과 96GB SOCAMM2가 탑재된 엔비디아(NVIDIA)의 슈퍼칩 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’

제품 전시 공간은 ▲HBM과 ▲AI-Optimized Memory & Storage 크게 2개의 전시대로 구성됐다. 부스에 들어서면 오른편에 바로 만나볼 수 있는 HBM 전시대에는 엔비디아(NVIDIA)의 슈퍼칩
‘베라 루빈(Vera Rubin)’과 함께, 여기에 탑재된 SK하이닉스의 HBM4 36GB 12단 제품과
96GB SOCAMM2*를 자세히 살펴볼 수 있도록 했다. 그 옆으로는 베라 루빈에 탑재된 SK하이닉스 제품의 역할을 상세히 소개하는 설명 문구도 배치해, 관람객들의 이해를 도왔다.

* SOCAMM2(Small Outline Compression Attached Memory Module2): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈

실제로 HBM4 36GB 12단 제품은 루빈 GPU 코어 주변에 직접 통합돼 복잡한 행렬 연산에서 발생하는 데이터 전송 지연을 해소하는 고대역폭 데이터 통로 역할을 하고 있다. 또, SOCAMM2는 베라 CPU의 주 시스템 메모리로 동작하며 AI 에이전트가 긴 대화의 맥락도 바로 답변에 반영할 수 있게 복잡한 연산 과정과 이에 따른 데이터 이동을 돕고 있다.

슈퍼칩 주변으로는 ▲HBM4E 48GB 12단 ▲HBM4 48GB 16단 ▲HBM3E 36GB 12단 등 주요 HBM 라인업과 192GB SOCAMM2 실물 제품이 나란히 배치됐다. 관람객들은 실제 AI 가속기에 탑재된 제품과 그 옆에 놓인 차세대 제품 라인업을 번갈아 살펴보며, AI 기술의 발전에 발맞춰 꾸준히 진화해 온 SK하이닉스 HBM 기술력을 직접 확인할 수 있었다.

서버 D램부터 SSD까지… AI 인프라 시장 겨냥한 차세대 제품 라인업 공개

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▲ 이번 전시에 소개된 SK하이닉스의 차세대 서버 D램 & SSD 라인업

부스 왼편에는 차세대 서버 D램과 SSD 제품 라인업을 한자리서 살펴볼 수 있게 전시대를 배치했다. 서버 D램으로는 AI 워크로드에 맞춰 업계 최대 용량을 구현한 ‘256GB 3DS* RDIMM*‘을 비롯해, 고대역폭을 갖춘 ‘128GB MRDIMM*‘과 세계 최초로 10나노(㎚)급 6세대(1c)* 공정을 적용한
’64GB RDIMM’이 함께 소개됐다.

* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결한 고성능 메모리
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 결합된 서버용 모듈
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동돼 속도가 대폭 향상된 제품
* 10나노(nm)급 미세공정 기술은 세대순으로 1x-1y-1z-1a-1b-1c(6세대)로 진화함

SSD 전시대는 ▲PEB210 E1.S ▲PS1101 E3.S ▲PEB210 M.2 등 서로 다른 폼팩터와 활용 환경을 아우르는 구성으로, 고객의 다양한 요구에 대응할 수 있는 SK하이닉스의 스토리지 설루션 역량을 보여줬다. 특히 액체냉각(Direct Liquid Cooling, DLC)을 지원하는 ‘PEB210 E1.S’는 데이터센터를 운영 중인 고객들의 큰 관심을 모았고, SK하이닉스 최초로 QLC* 기반으로 개발된 eSSD ‘PS1101 E3.S’에도 기업 고객들의 문의가 이어졌다.

* QLC: 셀(Cell)에 저장 가능한 비트(Bit) 단위에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음

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▲ SK하이닉스를 찾아 관련 상세 정보를 문의 중인 관람객

전시 기간 내내 SK하이닉스 부스에는 AI 인프라 구축의 핵심 축을 담당하는 AI 메모리 설루션을 자세히 살펴보려는 업계 관계자들의 발길이 끊이지 않았다. 또, 앞으로의 개발 계획과 현재 보유 중인 기술 역량을 확인하고, 이를 기반으로 새로운 협업을 제안하려는 기업 관계자들의 방문도 이어졌다.

HBM5-CoWoS 협업 성과 인정받아 ‘Partner of the Year’ 2년 연속 수상

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▲ (왼쪽부터) TSMC OIP Conference에서 SK하이닉스를 대표해 ‘올해의 파트너상(Partner of the Year Award)’을 받고 있는 박진우 팀장(PKG제품TE)과 이재식 담당(Advanced PKG Research)

이번 포럼에서 SK하이닉스는 TSMC로부터 ‘3DFabric-HBM Integration’ 분야 올해의 파트너상(Partner of the Year Award) 수상 기업으로 선정됐다. 지난해에 이은 2년 연속 수상으로, 올해는 차세대 AI 시스템 발전을 위해 TSMC의 CoWoS*를 기반으로 HBM5를 검증한 협업 성과를 인정받았다.

* CoWoS(Chip on Wafer on Substrate): TSMC의 2.5D 어드밴스드 패키징 기술로, HBM과 GPU 등 여러 칩을 하나의 기판 위에 집적해 고성능 AI 가속기를 구현하는 데 활용됨

HBM은 세대를 거듭하며 적층 수와 대역폭을 끌어올리고 있는데, 이를 성능으로 온전히 구현하기 위해서는 실제 AI 가속기에 통합하는 어드밴스드 패키징 기술과의 긴밀한 연계가 필수적이다. SK하이닉스의 PKG 개발 조직과 TSMC는 이 지점에서 초기 단계부터 함께 검증을 진행하며 차세대 AI 시스템의 기반을 다져왔고, 이 같은 협업 관계가 이번 수상으로 이어졌다.

AI 시대 PCIe의 역할부터 차세대 SSD 로드맵까지… 발표 세션서 기술 개발 비전 공유

 

AI의 급격한 성장 뒤에는 메모리가 있다 SK하이닉스 TSMC OIP Conference서 차세대 메모리 포트폴리오 공유 14 1 photo

▲ 발표 중인 박대식 팀장(PCIe Design)

발표 세션에서는 박대식 팀장(PCIe Design)이 케이던스(Cadence)와의 공동 발표에서 두 번째 연사로 나서 ‘PCI Express Solutions for HPC/AI Storage’를 주제로 변화하는 시장의 트렌드와 SK하이닉스의 대응 방향을 공유하고, 이를 위해 개발 중인 AI 메모리 기술들을 소개했다.

박 팀장은 먼저 PCIe* 분야에서 진행 중인 기술 변화 양상을 짚었다. 그는 “4세대 이후 2~3년마다 세대가 전환되며 대역폭이 두 배씩 증가하고 있고, 특히 6세대부터는 전력 최적화와 설계 · 공정 간 협업이 한층 중요해지고 있다”며 “AI와 GPU 성능 향상을 위해 HBM과 HBF*를 포함한 새로운 메모리 계층이 형성되면서, PCIe가 이들 계층을 GPU와 CPU, 네트워크로 연결하는 핵심 인터페이스로 부상했다”고 설명했다.

* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 디지털 기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스
* HBF(High Bandwidth Flash): HBM과 SSD 사이의 새로운 메모리 계층으로 논의되는 차세대 낸드 기반 메모리 기술. HBM과 마찬가지로 베이스 다이(Base Die)에 로직 공정을 적용해, HBM보다 훨씬 큰 용량을 제공하면서도 유사한 대역폭과 비용 효율을 확보함

시장 전망과 SK하이닉스의 대응 방향도 함께 공유됐다. 박 팀장은 “AI 인프라 확대에 따라 PCIe 기반 eSSD 시장은 2026년 509EB*에서 2030년 1,933EB로 약 3.8배 성장할 전망”이라며 “고용량 · 고밀도와 냉각 효율에 대한 요구가 커지면서 E1.S와 E3 폼팩터에 대한 수요도 빠르게 늘어날 것”이라고 내다봤다.

그러면서 “SK하이닉스는 TSMC 공정을 활용해 3세대 PCIe부터 다양한 SSD 컨트롤러를 개발해 왔고, 6세대와 7세대에서는 칩렛* 기반의 차세대 SSD 설루션을 준비 중”이라며 “기존 단일 칩 컨트롤러를 칩렛 단위로 분리해 UCIe*에 연결하는 구조로, 이를 통해 개발 기간 단축, 기능별 독립적인 세대 전환, 용량 확장, 전력 최적화가 모두 가능할 것으로 기대된다”고 소개했다.

* EB(Exabyte): 데이터 용량 단위로, 1EB(엑사바이트)는 100만TB(테라바이트)에 해당함
* 칩렛(Chiplet): 하나의 큰 칩을 기능별로 나눠 여러 개의 작은 칩으로 만든 뒤, 이를 하나의 패키지에 연결해 구현하는 기술. 기능별 독립적인 개발과 조합이 가능해 개발 기간을 단축하고 설계 유연성을 높일 수 있음
* UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express): 서로 다른 칩렛을 하나의 패키지 안에서 연결하기 위한 개방형 표준 인터페이스

SK하이닉스는 “이번 OIP 컨퍼런스에서 2년 연속 올해의 파트너상을 수상하며 TSMC와 쌓아온 협력의 성과를 다시 한번 확인했다”며 “앞으로도 다양한 파트너들과 긴밀히 협업하며 AI 시대가 요구하는 메모리 설루션을 함께 만들어 나가겠다”고 말했다.