실리콘밸리의 심장부에서 열린 ‘TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026(TSMC Technology Symposium 2026)’. 전 세계 반도체 리더들이 결집한 이곳에서 SK하이닉스는 AI 메모리 강자로서 압도적 위상을 증명하고, TSMC와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인했다. 이와 함께 기조연설에서는 ‘메모리와 로직(Logic)의 통합’이라는 화두를 던지며 AI 시대를 맞아 앞으로 SK하이닉스가 펼쳐갈 청사진을 제시했다. 뜨거운 열기로 가득 찼던 이날 현장의 분위기를 생생히 담아봤다.
반도체로 만드는 새로운 시대… AI 최적화 위한 혁신 기술 대거 공유
지난 22일, 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에 위치한 산타클라라 컨벤션 센터(Santa Clara Convention Center)는 이른 아침부터 몰려든 인파로 인산인해를 이뤘다. TSMC는 전 세계 7개 주요 거점 지역에서 반도체 설계 및 제조 파트너들을 모아 최신 기술과 협력 성과를 공유하는 ‘개방형 혁신 플랫폼(OIP, Open Innovation Platform) 포럼을 열고 있다. 이날 열린 북미 지역 심포지엄은 ‘반도체 리더십으로 AI의 지평을 넓히다(Expanding AI with Leadership Silicon)’라는 슬로건 아래, AI 가속기(AI Accelerator)와 고성능 컴퓨팅(HPC, High Performance Computing)에 최적화된 혁신 기술들을 선보였다.
시스템 반도체 제조 기술(Logic Technology) 중에서는 3㎚(나노미터)를 넘어 2㎚, A16 · A14* 공정으로 이어지는 미세 공정 기술의 진전에 집중했고, 패키징(Packaging) 분야에서는 CoWoS*, InFO*, SoIC* 등의 기술을 활용한 적층 혁신을 강조했다. 이를 통해 TSMC는 HPC부터 스마트폰과 자율주행에 이르기까지 전방위로 확장 중인 AI 설루션 발전에 발맞춰, 고집적 트랜지스터와 저전력 구조로 AI 데이터센터와 클라우드 시장을 공략해 나가겠다는 전략적 지향점을 명확히 제시했다.
* CoWoS(Chip on Wafer on Substrate): 칩(Chip)을 웨이퍼(Wafer) 위에 올린 뒤 다시 기판(Substrate)에 연결하는 TSMC의 2.5D 패키징 기술. 로직 칩과 HBM을 하나의 패키지 위에 나란히 배치해 데이터 전송 속도를 높일 수 있어, AI 가속기와 HPC 구현을 위한 핵심 기술로 꼽힘
* InFO(Integrated Fan-Out): 패키지 기판 대신 반도체 칩 바깥쪽까지 회로를 그려 넣는 팬 아웃(Fan-Out) 기술을 활용한 패키징 방식. 두께는 줄이고 전력 효율은 높여, 주로 모바일 AP 등에 적용됨
* SoIC(System on Integrated Chips): 서로 다른 칩을 수직으로 직접 쌓아 올리는 최첨단 3D 적층 패키징 기술. 범프(Bump) 없이 칩을 결합하는 하이브리드 본딩 기술을 활용해 데이터 처리 대역폭을 넓히고 칩 크기는 줄일 수 있어 차세대 AI 반도체 생산을 위한 필수 기술로 평가받음
AI 시대, 나아가야 방향은 경계를 허무는 파괴적 혁신
이날 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 기조연설에 나서 ‘차세대 AI 메모리: 지능화, 융합, 그리고 협업(The Next Era of AI Memory: Intelligent, Integrated, and Co-created)’을 주제로, 기술 한계 극복을 위해 경계를 허무는 파괴적 혁신의 필요성을 역설했다.
▲ 기조연설 중인 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)
안 사장은 먼저 AI 시대를 맞아 SK하이닉스가 추구하는 메모리 기술의 방향성을 소개했다. 그는 “현재 AI 기술의 발전을 가로막는 가장 중요한 장애물은 대역폭 한계로 늘어나는 데이터를 빠르게 처리하지 못하는 ‘메모리 병목 현상(Memory Wall)’”이라며 “이러한 한계를 돌파해 나가기 위해서는 기존 구조를 개선하는 데 그치지 않고 새롭게 접근하는 노력이 필요하다”고 짚었다.
또, “SK하이닉스는 단순한 ‘공급자(Provider)’가 아닌, 아키텍처 설계 단계부터 필요한 메모리 설루션을 함께 고안해 제공하는 ‘크리에이터(Creator)’로 진화하고 있다”며 “앞으로는 AI 가속기를 위해 ‘표준형 HBM’을 공급하는 데서 더 나아가 고객의 특정 니즈에 맞춘 ‘커스텀 HBM’을 제공하고, 이러한 기조를 D램과 낸드플래시를 아우르는 전 설루션으로 확대해 AI 시스템의 성능과 효율을 높여 나가겠다”고 말했다.
▲ 기조연설 중인 SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)
안 사장은 SK하이닉스가 준비 중인 새로운 기술적 비전도 제시했다. 그는 “메모리와 로직 기술의 통합은 기존 구조의 한계를 뛰어넘어 AI 성능을 극대화할 새로운 기술적 돌파구”라며 “이를 기반으로 HBM4부터 베이스다이(Base Die)에 TSMC의 선단 로직 공정을 도입하는 등 전략적 협업을 공고히 해, 커스텀 HBM을 넘어 HBF*와 3D Stacked DRAM on Logic*에 이르기까지 고객의 다양한 워크로드에 최적화된 맞춤형 설루션을 폭넓게 제공해 나가겠다”고 예고했다.
* 3D Stacked DRAM(3D Stacked DRAM on Logic): SoC(System on Chip) 등 로직 반도체 위에 DRAM을 수직으로 직접 쌓아 올리는 최첨단 적층 기술. 데이터 통로(I/O)를 대폭 늘려 지연 시간을 최소화하고 전력 효율과 공간 활용도를 획기적으로 개선할 수 있어 주로 온디바이스(On-device) AI 등에 활용됨
마지막으로 안 사장은 AI 최전선에 필요한 핵심 가치를 ‘협업’으로 정의하면서, AI 시대 최적의 파트너로서 SK하이닉스의 역할을 강조했다. 그는 “SK하이닉스는 HBM을 비롯한 AI 메모리 분야에서 독보적인 기술력을 갖춘 최적의 파트너”라며 “모든 파트너가 실시간으로 기술적 진전을 공유하고 복잡한 문제를 함께 풀어가는 ‘원팀(One-Team)’이 돼, 함께 AI 시대를 열어가자”고 제안했다.
AI의 새로운 가능성을 열어갈 ‘보이지 않는 기술’의 힘
이와 함께 SK하이닉스는 심포지엄 기간 함께 열린 전시회에도 참가해 첨단 메모리 설루션을 대거 선보였다. 특히 ‘가능성을 실현하는 보이지 않는 기술(Invisible Technology that Enables Possibility)’이라는 콘셉트로 주요 HBM* 제품 라인업을 전면에 배치해, 겉에서는 보이지 않는 SK하이닉스의 AI 메모리가 제품 속에서 AI 구현을 위해 얼마나 중요한 역할을 하고 있는지 보여주는 데 집중했다.
▲ HBM3E 섹션을 살펴보고 있는 관람객들
전시 현장에서 가장 주목받은 섹션은 ‘HBM3E’ 섹션이었다. 엔비디아(NVIDIA) GB300 내부에 탑재된 HBM3E 12단의 모습을 3개의 레이어(Layer)로 나누어 선보여, HBM이 실제 제품 내에서 하는 역할을 이해하기 쉽게 상세히 소개했다. 관람객들은 레이어마다 배치된 제품 이미지를 유심히 살피는가 하면, 때로는 궁금한 점을 직접 물어보며 큰 관심을 보였다.
차세대 AI 메모리의 핵심인 HBM4 48GB(기가바이트) 16단 제품과 내부 구조를 확대한 3D 모형이 배치된 ‘HBM4’ 섹션도 많은 관심을 받았다. 특히 HBM4 제품 설명 중 ‘TSMC의 첨단 공정 기술이 적용된 베이스다이 채택(Powered by base die in TSMC advanced logic)’이라는 문구를 명시해, TSMC와의 긴밀한 기술 파트너십을 강조했다.
최신 서버용 D램 라인업도 함께 전시해, 독보적인 기술 리더십을 과시했다. SK하이닉스는 이번 전시에서 ▲업계 최대 용량을 구현한 ‘256GB 3DS RDIMM*’ ▲고성능 연산 환경에 최적화된 ‘128GB MRDIMM*’ ▲세계 최초로 1c㎚ 공정을 적용해 전력 효율을 극대화한 ‘64GB RDIMM’ 등을 나란히 배치해 서버 시장을 공략한 최신 라인업을 선보였다. 이와 함께 1c㎚ 공정 적용과 더불어 새로운 폼팩터(Form Factor)로 저전력 고성능을 실현한 ‘192GB SOCAMM2*’도 AI 서버에 특화된 차세대 설루션으로 이목을 집중시켰다.
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 대폭 향상된 제품
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈
전시와 함께 진행된 이벤트도 관람객들의 큰 호응을 얻었다. SK하이닉스는 이날 링크드인(LinkedIn) 채널을 팔로우한 방문객들에게 HBM의 정교한 적층 구조를 ‘햄버거’로 형상화한 기념품 세트를 전달했다. 이와 함께 어려운 기술 개념을 쉽게 풀어낸 ‘적층 레시피(Stacking Recipe)’를 담은 카드도 증정해, 기술 전시 특유의 딱딱한 분위기 대신 친근한 이미지로 관람객들에게 다가갔다.
SK하이닉스는 “이번 심포지엄을 통해 TSMC와의 공고한 파트너십을 확인하는 동시에, SK하이닉스의 기술적 진화 방향성을 널리 알릴 수 있었다”며 “앞으로도 독보적인 기술 리더십을 바탕으로 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서 입지를 굳혀, 글로벌 파트너들과 함께 AI 시대를 선도해 나가겠다”고 말했다.
