SK하이닉스가 2일부터 5일까지(현지시간) 스페인 바르셀로나 피라 그린 비아(Fira Gran Via)에서 열린 ‘모바일 월드 콩그레스 2026(Mobile World Congress 2026, 이하 MWC 2026)에 참가해, AI 기술 역량과 주요 메모리 설루션을 소개하고 모바일 업계 핵심 파트너들과 향후 협업 방안을 깊이 있게 논의했다.
MWC 2026은 세계이동통신사업자협회(Global System for Mobile Communications Assnaociation, GSMA)가 주최하는 모바일 분야 세계 최대 규모의 박람회다. 지금까지 MWC가 모바일 기술을 중심으로 ‘연결(Connectivity)’에 초점을 맞춰왔다면, 올해는 ‘지능화 시대(The IQ Era)’를 슬로건으로 모든 연결기기가 AI와 결합해 새로운 가능성을 열어가는 최근 트렌드를 전시에 담아냈다. 이에 따라 모바일, 네트워크뿐 아니라 AI, 전장(Automotive) 분야까지 전시 범위를 넓혀, 산업 전반을 아우르는 혁신 기술과 아이디어를 한자리서 만나볼 수 있을 것으로 기대된다.
SK하이닉스 역시 이러한 전시 기조에 발맞춰 회사가 보유한 AI 및 전장 분야 주요 메모리 설루션을 전시관 곳곳에 배치하고, 미래 기술을 선도하는 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서 명확한 비전을 제시하는 데 집중했다.
또한 핵심 파트너들과 접점을 늘려 최신 기술 트렌드와 니즈를 파악하는 한편, 마케팅 트렌드와 주요 시장 상황을 점검하는 데에도 많은 노력을 기울였다.
전시부스 곳곳서 터진 감탄사 ‘AI 메모리는 역시 SK하이닉스’
SK하이닉스는 반도체의 출발점인 웨이퍼(Wafer)의 ‘원형’을 모티브로 전시관을 조성해, AI 시대를 이끌어갈 세계 최고 수준의 메모리 반도체 기술들을 소개했다. 스톤 재질의 무게감과 곡선의 조화를 활용해 입장과 동시에 압도될 수 있도록 전시관을 디자인했으며, 원형이 겹겹이 겹친 상부 조명과 대형 스크린을 활용해 참관객들의 시선을 끌었다.
1층 메인 전시 공간은 ▲HBM* ▲AI Datacenter Memory ▲On-Device* AI Memory ▲Automotive Memory 등 4개의 존(Zone)으로 구성했고, 2층은 미팅 룸과 라운지로 활용했다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 용량을 높이고 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* On-Device AI: 물리적으로 떨어진 서버의 연산을 거치지 않고 기기 자체에서 AI 기능을 구현하는 기술. 스마트 기기가 자체적으로 정보를 수집, 연산하기 때문에 AI 기능의 반응 속도가 빨라지고 사용자 맞춤형 AI 서비스 기능도 강화되는 장점이 있음
▲ SK하이닉스의 HBM4(왼쪽), HBM3E(오른쪽)
HBM 존에는 차세대 AI 데이터센터용 서버 플랫폼에 탑재되는 ‘HBM4’가 전시됐다. HBM4는 2,048개의 데이터 출입 통로(I/O)가 적용돼 이전 세대 대비 2.54배에 달하는 대역폭을 확보하고, 전력 효율을 40% 이상 개선해 초고성능 AI 연산에 활용도가 높은 설루션으로 평가받고 있다. 이에 더해 ‘글로벌 고객사의 최신 AI 데이터센터 서버용 GPU 모듈에 활용되고 있는 ‘HBM3E 12단’도 선보이며 HBM 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.
▲ SK하이닉스의 DDR5 기반 서버용 D램 모듈 제품 라인업
AI Datacenter Memory 존에서는 데이터센터와 서버 시장을 겨냥한 DDR5 기반 모듈 제품들과 고용량과 고성능을 구현한 eSSD 제품들이 소개됐다. D램은 ▲세계 최초로 10나노(nm)급 6세대(1c)* 공정 기술을 적용해 더 빠른 속도와 높은 전력 효율을 구현한 ‘DDR5 RDIMM*(64GB)’ ▲AI 환경에 적합하도록 집적도를 높인 ‘3DS* DDR5 RDIMM(256GB)’ ▲고용량과 고대역폭을 확보해 AI 워크로드에서 활용도가 높은 ‘DDR5 MRDIMM*(96GB)’ 등 다양한 스펙의 제품들이 공개됐다. 또한, AI용 고성능 모듈에 LPDDR5X의 저전력 특성을 결합해 고효율 구현이 가능한 차세대 메모리 모듈 ‘SOCAMM2*(192GB)’도 함께 선보였다.
* 10나노(nm)급 미세공정 기술은 세대순으로 1x-1y-1z-1a-1b-1c(6세대)로 진화함
* RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module): 여러 개의 D램이 결합된 서버용 모듈
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결한 고성능 메모리
* MRDIMM(Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module): 모듈의 기본 동작 단위인 랭크(Rank) 2개가 동시 작동되어 속도가 대폭 향상된 제품
* SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module): 저전력 D램 기반의 AI 서버 특화 메모리 모듈
▲ SK하이닉스의 AI 데이터센터용 eSSD 제품 라인업
eSSD는 ▲액체 냉각(Direct Liquid Cooling, DLC)을 지원하는 ‘PEB210 E1.S(9.5mm)’ ▲NVMe* E3.S 규격에 맞춰 고사양 퍼포먼스에 최적화한 ‘PS1110 E3.S’ ▲QLC* 낸드 기반으로 122TB까지의 용량을 구현한 ‘PS1101 E3.S’ 등 AI 데이터센터 시장을 겨냥한 제품들로 포트폴리오를 구성했다.
* NVMe(Non-Volatile Memory Express): PCIe 인터페이스 기반 비휘발성 메모리를 위한 통신 규격. 기존 SATA 인터페이스 대비 초고속, 고용량 데이터 처리에 적합함
* QLC: 낸드플래시는 최소 단위 저장 공간인 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개)-PLC(Penta Level Cell, 5개) 등으로 나뉨
모바일, 자율주행 기술도 선점…폭넓은 제품 포트폴리오 입증
SK하이닉스는 이번 전시에서 AI 및 AI 데이터센터를 겨냥한 메모리 설루션뿐 아니라 온디바이스나 자율주행, 커넥티드 카를 아우르는 전장 분야까지 넓혀 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터’로서의 준비된 기술 역량을 마음껏 뽐냈다.
On-Device AI Memory 존에서는 LPDDR* 라인업 중 최신 제품인 ‘LPDDR6*’을 선보여 눈길을 끌었다. 이와 함께 ▲저전력 스토리지 제품군 중에서는 이전 세대 대비 성능 및 전성비를 개선한 ‘UFS* 4.1(1TB)’ ▲16GB LPDDR5X와 512GB UFS를 결합한 ‘uMCP* 4.1’ ▲이전 버전 대비 작은 패키지 사이즈를 가지는 ‘ZUFS* 4.1’ 등 카테고리별 최신 제품들도 대거 공개됐다.
* LPDDR: 저전력 동작 특성을 지닌 최신 모바일 D램 제품. 명칭 앞에 LP(Low Power)가 붙으며, LPDDR1-2-3-4-4X-5-5X-6 순으로 개발됨
* UFS(Universal Flash Storage): 동시에 읽고 쓸 수 있는 범용 스토리지 제품. 낮은 전력 소비, 고성능, 높은 신뢰성으로 모바일 장치에 널리 사용됨
* uMCP(Universal Multichip Package): D램과 낸드를 하나의 제품으로 결합한 멀티 칩 패키지
* ZUFS: Zoned Universal Flash Storage. 디지털카메라, 휴대전화 등 전자제품에 사용되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율이 향상된 제품. 이 제품은 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장장치 간의 데이터 전송을 최적화함
마지막 Auto 존에서는 갈수록 고도화되는 자율주행 성능을 지원하기 위한 다양한 메모리 설루션이 제시됐다. D램은 10나노급 6세대 공정 기술을 적용해 데이터 전송속도를 개선하고 제반 성능을 고도화한 ▲Automotive LPDDR6 ▲Auto/Robotics LPDDR5/5x 등 2개 제품이 전시됐다. 낸드는 ▲Auto UFS3.1 ▲Auto eMMC5.1 ▲Auto SSD PA101▲Auto SSD PA201 등 등급(Level)이 높아질수록 많은 양의 데이터를 고속으로 처리하는 자율주행 기술의 특성을 고려한 스토리지 제품 라인업이 소개됐다.
SK하이닉스는 “이번 MWC 2026을 통해 AI 인프라를 비롯해 온디바이스, 자동차 전장 분야에 이르기까지 다양한 메모리 설루션을 제시하고 회사의 브랜드 가치와 비전을 직접 체험해 볼 수 있도록 했다”며 “앞으로도 변화하는 환경 속에서 한발 앞서 준비하는 자세로 기술 개발에 매진해, 다가올 AI 시대에도 글로벌 반도체 시장을 이끄는 선도기업으로 자리매김하겠다”고 말했다.
