AI 기술이 고도화될수록 메모리 반도체 산업은 더 큰 도전에 직면하고 있다. 성능과 집적도, 안정성에 대한 요구가 나날이 높아지는 기술적 한계 상황 속에서, 난제를 풀 핵심 열쇠는 다시 반도체의 근간인 ‘소자(Device)’ 기술로 귀결되고 있다.

2025년 SK하이닉스가 달성한 압도적인 성과 역시 탄탄한 소자 기술의 토대 위에서 탄생했다. 특히 SK하이닉스의 D램 소자 기술은 HBM을 비롯해 세계 최고 수준의 D램 경쟁력을 뒷받침하는 핵심 축으로, 회사가 AI 메모리 시장에서 독보적인 기술 리더십을 확보하는 데 결정적인 역할을 해왔다. 그리고 지금, D램 소자 기술은 또 한 번의 도약을 준비하고 있다.

뉴스룸은 미래기술연구원 VG TD 신임임원으로 선임된 장경철 부사장을 만나, AI 시대에 D램 소자 기술이 갖는 의미와 SK하이닉스 D램 기술의 미래에 대해 이야기를 나눴다.

장경철 부사장은 2008년 입사 이후 줄곧 소자 개발 분야에서 경력을 이어온 기술 전문가다. D램 셀(Cell) 소자 기술 개발을 통해 네 차례의 SKMS실천상과 하이닉스 대상까지 수상하며, 회사의 D램 기술 경쟁력 강화에 기여해 왔다.

임원 선임 소감에 대해 묻자, 장 부사장은 그동안 집중해 온 소자 개발 분야에서의 커리어를 돌아보며 이야기했다.

“임원 선임을 통해 그동안 한 우물을 파온 노력을 인정받았다고 느꼈습니다. 매우 기쁘고 감사합니다.

메모리 반도체 업계에 처음 발을 들였을 때, 제가 세웠던 목표는 한 분야의 전문가를 넘어 ‘종합 반도체인(人)’이 되는 것이었습니다. 임원이 된 지금이 바로 그 결심을 본격적으로 실행해 나갈 시점이라고 생각합니다. 현재에 안주하지 않고 끝까지 최선을 다해 나아가겠습니다.”

그는 자신의 가장 큰 성과로 SK하이닉스 D램의 1등 경쟁력을 지켜온 것을 꼽았다. 그리고 이러한 경험을 바탕으로 SK하이닉스 D램의 다음 세대를 열어가겠다는 포부도 밝혔다.

“SK하이닉스 D램 셀의 성능은 항상 1등이었습니다. 선배님들께서 만들어 온 성과를 제가 이어갈 수 있었던 점을 매우 자랑스럽게 생각합니다.

1등 DNA를 지켜온 경험은 현재의 경쟁력일 뿐만 아니라, 다음 단계를 향한 추진력이 된다고 생각합니다. 이를 바탕으로 SK하이닉스 D램의 새로운 도약을 준비해 나가겠습니다.”

장경철 부사장은 현재를 D램 구조 자체가 근본적으로 전환되는 변곡점이라고 진단했다. 그리고 이러한 변화의 출발선에 서 있는 조직이 바로 VG* TD다. VG TD는 기존 D램 구조의 한계를 넘어서는 새로운 셀 구조를 개발하는 소자(Device) 조직으로, 차세대 D램 전환의 기초를 다지는 역할을 맡고 있다.

* VG(Vertical Gate): D램 셀의 게이트를 수직 구조로 구현해 셀 면적을 줄이고, 고집적 · 고속 · 저전력 특성을 동시에 구현하는 차세대 D램 셀 구조 기술

“AI 시대가 본격화되며 메모리 반도체에 대한 고객의 요구는 다양해지고 있지만, 핵심은 결국 더 많은 용량과 빠른 속도, 낮은 전력 소모라고 할 수 있습니다. 미세 공정을 통한 성능 개선이 점차 한계 국면에 접어든 상황에서, 지속가능한 혁신을 위해서는 셀 구조 자체의 전환이 불가피합니다.”

장 부사장은 이에 대응하기 위해, D램 공정을 10나노미터(㎚) 이하로 미세화해 집적도를 높이는 한편, VG 플랫폼과 웨이퍼 본딩* 기술 등을 통해 저전력과 고속 특성을 함께 구현할 수 있는 새로운 D램 플랫폼을 준비해야 한다고 설명했다.

* 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding): 서로 다른 웨이퍼를 정밀하게 접합해 수직 적층 구조를 형성하는 공정. 고성능 AI 반도체와 같이 복잡한 집적 구조 구현에 필수적인 핵심 기술

“현재의 연구 방향성과 기술적 선택이 향후 SK하이닉스 D램의 경쟁력을 좌우할 것입니다. 이를 실제 기술과 제품으로 구현해, 다음 세대 D램의 기준을 만들어 가는 역할이 바로 VG TD 조직의 미션입니다.”

차세대 D램의 기반 기술을 현실화하기 위해, 장 부사장은 올해 신규 플랫폼의 개발 완성도를 높여 양산 경쟁력을 조기에 확보하는 것을 중요한 목표로 꼽았다. 이를 위해 새로운 기술의 정합성과 신뢰성을 강화하고, 실제 양산 환경에서도 안정적인 성능이 구현되도록 기술 최적화에 집중하겠다는 계획이다.

“올해 가장 큰 목표는 실제로 구현 가능한 칩을 만드는 동시에, TAT*를 줄이는 것입니다. 이를 위해 사전에 리스크를 충분히 점검해 지연 요소를 최소화하고, 의사결정과 실행 과정은 최대한 단순하게 가져갈 수 있도록 추진할 것입니다.”

* TAT(Turn Around Time): 개발 및 검증 과정에서의 소요 기간

장 부사장은 격변하는 AI 환경에서 차별화된 경쟁력을 확보하기 위해서 무엇보다 사전 점검 능력과 빠른 실행력이 중요하다고 강조했다. 선행 기술과 차세대 제품을 한발 앞서 준비하기 위해서는, 실행에 앞선 치밀한 점검과 이를 즉시 결과로 연결하는 조직력이 핵심이라는 설명이다.

“ 연구 · 개발 조직이 앞서 나가기 위해서는 패기 있게 도전하는 SUPEX 추구 정신과 함께, 끊임없이 점검하는 꼼꼼함이 필요합니다. 내부적으로는 구성원 각자가 책임감을 갖고 업무에 임해야 하고, 외부적으로는 조직 간에 벽 없이 소통하는 원팀 문화가 뒷받침돼야 합니다.”

이를 위해 그는 강한 실행력을 갖춘 조직 문화를 만들어 가겠다는 의지도 드러냈다.

“리더의 역할은 모든 구성원에게 완벽함을 요구하는 데 있지 않다고 생각합니다. 각자가 가진 강점이 제대로 드러나도록 연결하고, 개인의 한계를 팀의 힘으로 보완해 성과로 이어지게 하는 것이 리더의 책임입니다. 구성원들이 각자의 자리에서 역량을 발휘하면서도, 원팀 스피릿 아래 조직이 하나의 방향으로 움직일 수 있는 환경을 만들 수 있도록 노력하겠습니다.”

마지막으로 장 부사장은 그간의 기술 개발 과정에서 체감해 온 협업의 가치를 되새기며, 구성원들에게 메시지를 전했다.

“새로운 기술 개발을 수행할 때마다 ‘이것이 실제 가능할까’라는 고민이 있었습니다. 하지만 결국 해내는 과정을 수없이 경험하면서, 협력하는 인간의 힘을 실감했습니다. 선배님들과 동료 구성원들이 만들어 온 SK하이닉스의 2D D램은 세계 최고의 작품이라고 자부합니다. D램 구조 전환이라는 변곡점의 선두에 선 지금, VG D램에서도 SK하이닉스인의 저력을 증명해 낼 수 있도록 저의 역할을 다하겠습니다.”