SK하이닉스가 지난 11일부터 13일까지 3일간 열리는 ‘세미콘 코리아(SEMICON Korea) 2026’에서 보유한 연구개발 역량과 기술 혁신 로드맵을 공개하며, 글로벌 메모리 시장에서의 리더십을 다시 한번 확인했다.
국제반도체장비재료협회(Semiconductor Equipment and Materials International, SEMI)가 주최하는 세미콘 코리아는 글로벌 반도체 기업들이 한자리에 모이는 반도체 분야 국내 대표 전시박람회다. 올해는 코엑스뿐 아니라 인근 웨스틴 서울 파르나스와 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스까지 전시 공간을 확대해 역대 최대 규모로 열렸다. 550개 기업이 2,411개 부스를 열어 첨단 반도체 기술과 설루션을 선보였으며, 수많은 반도체 산업 종사자가 현장을 찾아 최신 반도체 산업 트렌드를 확인했다.
이번 세미콘 코리아에서는 반도체 업계를 대표하는 글로벌 기업의 경영진과 기술 리더들이 기조연설에 나서 AI 시대를 맞아 요구되는 다양한 기술 혁신과 공정 최적화 방안을 소개하고, 반도체 산업의 중장기 방향과 공급망 구축 및 협업 방안에 대해 화두를 던졌다.
함께 열린 STS(SEMI Technology Symposium)에서는 현직 엔지니어들이 공정 분야별 최신 기술 트렌드를 공유하고, 현재 연구개발 중인 주요 과제의 해결 방안을 함께 모색하는 시간을 가졌다. 아울러 신입 엔지니어와 학생을 대상으로 공정별 기초 지식과 최신 지견을 소개하는 Tutorial 세션도 성황리에 운영됐다.
“AI 기반으로 연구개발 방식 혁신해야… 새로운 협업 체계 구축 방안 고민할 때”
SK하이닉스는 기조연설과 6개 분과의 STS 세션 발표, 3개 분과의 Tutorial 세션 강의에 참여하며, 메모리 반도체 분야를 이끌어가는 기술 리더로서의 위상을 다시 한번 입증했다.
기조연설에 나선 이성훈 부사장(R&D공정 담당)은 ‘The Inflection Point Has Arrived: Driving Innovation Towards the Future of Memory Technology(변곡점이 도래하다: 미래를 향한 혁신을 주도하는 메모리 기술)’를 주제로 SK하이닉스가 AI 기술을 기반으로 연구개발 분야에서 진행 중인 혁신을 소개했다.
반도체 공정은 갈수록 복잡해지고 공정에 활용되는 기술도 고도화되고 있다. 이미 D램은 10나노미터(nm) 이하 노드로 진입했고, 낸드는 2D에서 3D 구조로 전환돼, 기술 난도는 기존 추세선을 벗어나 급격히 상승하고 있다. 이에 따라 다음 세대의 기술을 확보하기까지 걸리는 시간과 요구되는 자원의 양도 점점 늘고 있다.
이에 대해 이 부사장은 “SK하이닉스는 이 같은 어려움 속에서도 필요한 기술 난도에 대한 체계적인 예측과 선제적인 기술 협업을 통해 적기에 요소기술을 확보해 왔다”며 “기존 제품 단위 개발 방식에서 나아가 여러 세대에서 공통으로 사용할 수 있는 플랫폼(Platform) 개념을 도입하는 등 개발 과정을 효율화하면서 개발 주기* 증가를 잘 억제해 왔다”고 설명했다.
하지만 D램 미세화 한계는 여전히 다가오고 있고 낸드 역시 적층 수준이 초고층 영역으로 넘어가고 있어, 2027년 이후에는 또 한 번의 기술적 변곡점이 다가올 것으로 예상된다. 이 부사장은 “앞으로 다가올 변곡점에 효과적으로 대응하기 위해서는 기술 난제 해결을 위한 구조(Structure) 혁신과 기술 복잡성 증가에 따른 물질(Material) 혁신이 더욱 중요해질 것”이라며 “기술 간 융합을 적극적으로 시도하는 동시에 AI에 기반한 새로운 협업 방식을 모색할 필요가 있다”고 강조했다.
▲ AI 기반 연구개발 협업 방향
특히 이 부사장은 AI 기술이 새로운 구조를 탐색하거나 신물질이 공정에 적합한지 평가하는 과정에서 소요되는 노력과 시간을 크게 절감할 수 있다는 점에 주목했고, AI를 활용한 사례 중 하나로 엔비디아와 함께 AI를 공정 시뮬레이션에 활용해 최적화한 사례를 제시했다.
그는 “AI 모델을 활용하면 기존 방식보다 훨씬 많은 범위의 물질을 단기간에 검토할 수 있고, 더 적은 실험으로도 원하는 공정 조건을 보다 쉽게 확보할 수도 있다”며 “앞으로는 많은 사람을 투입하는 기존의 ‘Man Month Based R&D’에서 시간을 증폭시키는 ‘AI Based R&D’로 전환해야 한다”고 짚었다.
이 같은 AI 기반 연구개발 혁신을 위한 ‘Key Factor’로는 ‘데이터 관리’와 ‘AI 모델’을 꼽았다. 그는 “기술의 변곡점이 다가오는 현시점에서 AI Based R&D는 SK하이닉스만의 문제가 아니라 반도체 산업 전체가 함께 풀어나가야 할 공동 과제”라며 “IP 보호라는 관점하에 그간 금기됐던 협업 파트너 간 데이터 공유 문제를 어떻게 풀어갈지, 또 어떻게 공통의 AI 모델을 활용한 협업 시스템을 구축할지 함께 고민해야 할 시점”이라고 새로운 화두를 던졌다.
이 부사장은 “협력사와 함께 공유할 수 있는 AI 생태계를 구축하고 이를 기존의 협업 체계와 잘 결합해 재정비할 수 있다면 기술 난도가 극한으로 증가할 가까운 미래에도 현재의 개발 주기를 유지할 수 있을 것”이라며, 앞으로의 기술 경쟁에서도 지금의 우위를 지켜 나가겠다는 의지를 보여줬다.
STS 주요 연사로 나서 최신 공정 기술 및 양산 노하우 공유
11일과 12일 양일간 진행된 STS 발표에는 회사의 구성원들이 6개 분야별로 한 명씩 강연자로 나서 최신 공정 기술과 양산 노하우를 공유했다.
김홍익 TL(DRAM트랙Photo)은 Advanced Lithography 분과에서 High NA EUV*의 효과적인 활용 방안을 제시했고, 오진호 TL(Diffusion공정)은 Advanced Materials & Process Technology 분과에서 초고층의 낸드 적층을 위한 기술적인 과제와 이를 해결하기 위한 노력을 소개했다.
이어 노유현 팀장(NAND TD)은 Device Technology 분과에서 차세대 낸드 구현을 위해 확보 중인 소자/공정 기술을 공유했고, 박상욱 TL(Plug Etch)은 Plasma Science and Etching Technology 분과에서 HARC* 기술의 최신 동향을 함께 살펴봤다.
아울러 이혁중 TL(DRAM C&C)은 CMP& Cleaning Technology 분과에서 효과적인 CMP* 공정에서의 적정한 오버레이(O/L) 제어 조건을 다뤘고, 성기준 TL(PKG Innovation)은 Electropackage System and Interconnect Product 분과에서 온디바이스 AI를 위한 수직 VFO* 기술에 대해 상세히 설명했다.
* VFO(Vertical wire Fan Out): 와이어 본딩(Wire bonding)을 수직으로 연결해 공간을 최소화하고 전력 소모를 줄이는 기술
SK하이닉스는 “이번 세미콘 코리아를 통해 회사가 보유한 뛰어난 기술 역량을 소개하고 기술 혁신을 위해 현장에서 진행 중인 다양한 노력을 효과적으로 알릴 수 있었다”며 “앞으로도 풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)로서 고객의 요구에 부응하고 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 지속하기 위해 기술 리더십을 더욱 강화해 나가겠다”고 말했다.
