▲ ‘제18회 반도체의 날’ 기념 정부 포상 시상식
SK하이닉스가 지난 22일 서울 강남구 삼성동 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스에서 열린 ‘제18회 반도체의 날’ 기념 정부 포상 시상식에서 반도체 산업 발전에 기여한 공로를 인정받아 ‘반도체산업발전 유공’ 및 ‘대·중소 상생협력 유공’ 부문에서 총 6개 포상을 수상했다.
▲ (왼쪽부터) 황종진 TL(SKMS&Growth), 서영길 팀장(R&D장비기술C&C), 곽노정 대표이사 사장(CEO), 이동섭 팀장(차세대SAM), 김진호 팀장(HBM PKT기술), 오재민 팀장(HBM 수율)
이날 시상식에서는 ▲곽노정 대표이사 사장(CEO)이 반도체산업발전 유공 금탑산업훈장을 받았으며, ▲김진호 팀장(HBM PKT기술)이 반도체산업발전 유공 산업통상자원부 장관 표창 ▲오재민 팀장(HBM 수율)과 이동섭 팀장(차세대SAM)이 한국반도체산업협회장상 ▲서영길 팀장(R&D장비기술C&C)이 대·중소 상생협력 유공 산업통상자원부 장관 표창 ▲황종진 TL(SKMS&Growth)이 한국반도체산업협회장상을 각각 수상했다.
산업통상부와 한국반도체산업협회가 주최하는 ‘반도체의 날’ 행사는 반도체 산업 발전에 기여한 산·학·연 종사자들의 공로를 기리고, 국가 산업 경쟁력 강화를 다짐하기 위해 매년 10월 넷째 주에 열린다.
압도적인 기술력과 품질 혁신으로 글로벌 시장 선도
곽노정 대표이사 사장은 AI 메모리 기술 개발·제품 상용화를 통해 ICT 산업 발전에 기여한 공로를 인정받았다. 곽 사장은 세계 최초 HBM3E* 8단·12단 양산과 차세대 HBM4 샘플 공급을 주도하며 글로벌 기술 리더십을 확립했고, QLC* 기반 eSSD*, 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 DDR5 D램, 321단 4D 낸드플래시(NAND Flash, 이하 낸드) 등 고성능 제품 개발로 메모리 경쟁력을 높였다. 이와 함께 국내 소재사와의 협력을 통한 핵심 소재 국산화, 청주 M15X·용인 반도체 클러스터 투자 등으로 산업 생태계 확장과 지역경제 활성화에 기여했다.
또한, 협력사 기술 지원, R&D 공동개발 등 상생협력 프로그램을 통해 반도체 공급망 경쟁력 강화를 이끌었다.
* HBM(High Bandwidth Memory): 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발됨
* 셀(Cell)에 저장 가능한 비트(Bit) 단위에 따라 SLC(Single Level Cell, 1개)-MLC(Multi Level Cell, 2개)-TLC(Triple Level Cell, 3개)-QLC(Quadruple Level Cell, 4개) 등으로 규격이 나뉨. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있음
* eSSD(Enterprise Solid State Drive): 서버나 데이터센터에 탑재되는 기업용 SSD
반도체산업발전 유공 산업통상자원부 장관 표창을 수상한 김진호 팀장(HBM PKT기술)은 HBM, 3DS*, DDR5 등 주요 제품의 테스트 공정에 DFT(Design for Verification)를 발굴·적용해 최적의 테스트 베이스 라인(TEST Base-Line)을 구축함으로써 투자비를 절감했으며, ‘Address Based TEST’ 및 ‘Real-Time PDA’ 등 신개념의 테스트 방식 도입과 통계적 아웃라이어 스크린 설루션(Outlier Screen Solution) 적용으로 고객 불량을 획기적으로 개선하여 품질과 생산성 우위 기반, HBM 시장 선도에 기여했다.
* 3DS(3D Stacked Memory): 2개 이상의 D램 칩을 TSV(수직관통전극)로 연결한 고성능 메모리
오재민 팀장(HBM 수율)은 5세대 HBM3E의 조기 양산성과 수율·품질 경쟁력 확보에 기여한 공로를 인정받아 반도체산업발전 유공 한국반도체산업협회장상을 수상했다. 목표 대비 7개월 앞당긴 포화 수율을 달성해 조기 양산 체계를 구축하고, HBM 웨이퍼 엣지 다이(Wafer Edge Die) 상품화를 통해 수익성 극대화를 추진했다. 또한 TSV* 공정 혁신과 FAB–P&T(Package&Test) End to End 협업 체계를 구축해 HBM3E 수율·품질의 초격차 경쟁력을 확보하여 5세대 HBM3E 시장 선점을 이끄는 데 기여했다.
* TSV(Through-Silicon Via): D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술
반도체산업발전 유공 한국반도체산업협회장상을 받은 이동섭 팀장(차세대SAM)은 현재 UFS*, SSD, HBM 이후를 대비한 HBS(High Bandwidth Storage), HBF(High Bandwidth Flash), Storage-Next 등 하이브리드 아키텍처를 정립하며 AI 기술 발전으로 인한 메모리·스토리지 한계를 극복할 핵심 기술을 발굴했다.
* UFS(Universal Flash Storage): 빠른 속도와 저전력 특징을 갖춘 모바일용 저장장치 규격으로, SK하이닉스가 지난 5월 세계 최초로 4.1 버전을 개발함
기술 자립과 동반 성장으로 산업 경쟁력 강화
서영길 팀장(R&D장비기술C&C)은 반도체산업발전 유공 산업통상자원부 장관 표창을 수상했다. 외산에 의존하던 반도체 장비·부품을 국내 중소기업과 상생 협력해 국산화하고, 양산성능평가를 통해 기술 경쟁력과 품질 신뢰성을 확보한 공로를 인정받았다. 특히 3D 낸드 공정용 건식 세정 장비와 수소수 공급장치 등 핵심 장비의 국산화를 주도해 수입 대체와 비용 절감에 기여했으며, 협력사와의 공동 개발로 국내 반도체 생태계의 자립도와 상생 경쟁력을 높였다.
황종진 TL(SKMS&Growth)은 핵심 공정 장비의 국산화와 생산성 향상에 기여한 공로로 대·중소 상생협력 유공 한국반도체산업협회장상을 받았다. 또한 국내 협력사와 장비 공동 개발로 투자비 절감 및 FAB 공간 효율화를 달성했으며, 핵심 부품의 국산화 및 기술 자립 기반을 마련하며 반도체 장비·부품 국산화 정책에도 기여했다.
기술 경쟁력과 상생의 결실… 대한민국 반도체 산업의 미래를 이끈다
이번 수상은 SK하이닉스가 추진해 온 기술 혁신과 품질 경쟁력, 그리고 상생 협력의 결실로 평가된다. 회사는 HBM과 낸드, AI 반도체 등 핵심 기술을 고도화하며 글로벌 시장에서의 리더십을 강화하고, 협력사와 함께 성장하는 생태계를 지속적으로 확장하고 있다. SK하이닉스는 앞으로도 지속적인 혁신과 상생을 통해 대한민국 반도체 산업의 미래를 이끌어갈 것이라고 밝혔다.
