현대전자(대표:朴宗燮)가 차세대 신기술을 적용한 세계 최소형 256메가 싱크로너스 D램(이하 SD램)의 상용제품 개발에 성공했다고 24일 밝혔다.

이번 제품은 세계 최초로 회로선폭 0.14미크론(1미크론=1백만분의 1미터)급의 가공기술을 적용한 것으로, 3.3V의 저전압 동작과 데이터 처리속도 166㎒를 구현한 제품이라고 현대전자측은 설명했다. 또한 지난해 11월 동사가 발표한 2세대 256M SD램에 비해 칩 크기가 20%정도 작으며, 차세대 신기술을 다수 채용하여 제품의 신뢰성을 획기적으로 제고시킨 경쟁력이 우수한 제품이라고 덧붙였다.

256메가 싱크로너스 D램은 칩 하나에 신문지 2천장 분량 또는 2백자 원고지 8만4천장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있으며, 현재 시판중인 Intel社의 모든 CPU 제품은 물론, 워크스테이션 및 개인용 컴퓨터 모두에 채용이 가능하다. 이번 개발을 통해 현대전자는 이미 양산ㆍ판매중인 0.18미크론급 256메가 SD램 및 생산을 개시한 0.15미크론급 256메가 SD램을 포함한 다양한 제품군을 보유하게 됨으로써, 반도체 시장의 다양한 수요에 적극적으로 대처할 수 있게 되었으며 시장을 리드해 나갈 수 있는 유리한 위치에 서게 되었다.

이번 제품에서 주목할 점은 향후 기가급 D램의 상용화를 위한 차세대 신기술을 과감히 적용하여 제품의 특징개선 및 생산성 향상을 이룩했다는 것이다. 금속 게이트를 적용하여 이전 제품에 비해 동작속도를 개선하면서도 회로선폭을 줄일 수 있었으며, 탄탈륨 산화막을 유전막으로 사용하여 전하 저장능력을 획기적으로 향상시켜 완벽한 메모리 Cell특성을 얻도록 하였다.

이외에도 텅스텐 배선기술로 초고속 데이터 처리속도를 확보하였으며, 경쟁사와 차별화되는 자기(自己)정렬 접촉기술을 상용화하는 등 기가 D램의 양산에 필요한 최신 핵심 기술들을 성공적으로 적용함으로써 1기가 D램 양산을 세계 최초로 실현할 수 있는 가능성을 보여주었다. 현재 관련기술에 대한 특허만도 국내를 포함하여 미국, 유럽, 일본 등에 380여건 내외를 출원중이다.

현대전자는 이번 0.14미크론급 256메가 SD램 제품 샘플을 오는 2/4분기중 해외 컴퓨터 제조 업체들에 제공할 예정이며, 이를 위해 현재 생산시설 투자를 본격적으로 진행중에 있다.

2000년 3월 31일(金)
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