하이닉스반도체 세계 최초로 3중셀X3 기술 기반의 32Gb 낸드플래시 메모리 개발 성공 – SK hynix Newsroom

Skip to the content

MEDIA

하이닉스반도체 세계 최초로 3중셀X3 기술 기반의 32Gb 낸드플래시 메모리 개발 성공

2008-06-03

세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32Gb 낸드플래시 메모리

연관 기사

SK하이닉스, ‘슈퍼컴퓨팅 2025’서 HBM4·차세대 스토리지 등 AI 메모리 라인업 공개

TECH &AI &

SK하이닉스, ‘SK AI Summit 2025’서 ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’ 비전 제시

TECH &AI &

SK하이닉스, 美 OCP서 차세대 낸드 스토리지 제품 전략 공개

PRESS

SK하이닉스, SEDEX 2025 참가…메모리 반도체로 만들어갈 ‘AI의 미래’ 공유

TECH &

YOUTUBE INSTAGRAM WEBSITE