하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.com)는 10일 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시에 세계 유수의 반도체 회사인 STMicro社와 합작으로 건설한 Hynix-ST 반도체 유한공사 합작공장의 준공식을 가졌다. 이날 준공식은 하이닉스반도체 우의제 사장, STMicro社 카를로 보조티 사장 등 양사 관계자들과 중국 및 한국 정부 관계자, 양사의 협력업체 및 고객사 관계자 등 8백여 명의 국내외 인사들이 참석한 가운데 진행됐다.

중국 현지 합작 공장은 지난 2005년 4월 건설이 시작되었으며 총 면적 16만 평 규모의 단지 내에 200mm 웨이퍼 생산 라인과 300mm 웨이퍼 생산 라인을 보유하고 있다. 200mm 라인은 올해 4월 초기 생산을 시작하여 현재 월 약 5만장의 웨이퍼를 생산하고 있으며, 300mm 라인은 지난 7월 가동을 시작해 1단계로 1만8천장 수준으로 생산량을 늘릴 계획이다. 현재 200mm 생산라인에서는 110나노와 90나노로, 300mm 라인에서는 80나노 공정기술로 D램을 생산하고 있으며, 내년에는 보다 미세화된 회로공정 기술을 적용한 D램 생산뿐만 아니라 낸드 플래시도 양산할 예정이다.

이번 중국 합작 공장 건설에서 하이닉스반도체는 평균적으로 2년 남짓 소요되는 반도체 전공정 공장 건설을 1년 만에 완료하고, 장비 이설에서 시험생산 및 각종 인증 획득 그리고 양산 체제 돌입에 이르기까지 모든 과정을 한번의 시행착오 없이 최단 시일 안에 완벽하게 끝마침으로써 다시 한 번 하이닉스만의 저력을 보여주었다.

하이닉스반도체는 이천 본사에 300mm 웨이퍼 생산 공장을 보유하고 있으며 대만 프로모스社와 전략적 제휴를 맺고 300mm 생산 물량을 공급 받고 있었으나, 이번 중국 공장 완공으로 반도체 시장에서 경쟁력 유지에 중요한 300mm 웨이퍼 생산능력을 최소의 비용으로 확충하여 업계 최고 수준의 원가 및 생산 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대하고 있다. 또한 반도체 시장이 가장 가파르게 성장하고 있는 중국 현지에 합작공장을 설립함으로써 이미 선도적인 위치를 확보하고 있는 중국 반도체 시장에서 더욱 입지를 공고히 하게 되었다.

중국 반도체 시장은 2010년까지 연평균 25% 가량 성장할 것으로 예상되며, 시장조사업체 아이서플라이의 자료에 따르면 하이닉스반도체는 90년대 초부터 중국 내 D램 시장 점유율 1위를 유지하며 2006년 2분기 기준으로 약 47%의 시장점유율을 확보하고 있다. 하이닉스반도체는 이번 중국 공장 완공으로 미국 유진 공장에 이어 상계관세 등 통상문제의 원천적 해결이 가능한 해외 생산시설을 추가로 확보하게 되었으며, 韓ㆍ美ㆍ中 글로벌 생산체제를 구축함으로써 장기적인 성장기반을 확보하게 되었다.

더불어 낸드 플래시 메모리사업에 대한 전략적 제휴를 맺고 있는 세계적인 반도체 기업인 STMicro社와 함께 중국 합작공장을 설립함으로써 협력관계가 더욱 강화되어 양사의 신인도 및 사업 안정성이 한층 제고될 것으로 예상하고 있다. Hynix-ST 반도체 유한공사는 하이닉스반도체가 67%, STMicro社가 33%의 지분을 소유하고 있으며 하이닉스반도체가 운영하고 있다. 중국 합작공장에는 1단계로 총 20억불이 투자되며, 향후 시장여건에 따라 조기 증설을 추진하여 빠른 시일 내에 규모의 경제를 확보해나갈 계획이다.

■ 중국 우시공장 추진 경과
04년 08월 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 중국 현지 공장 설립 본계약 체결
04년 11월 STMicro社와 중국 현지 합작공장 설립을 위한 본계약 체결
05년 02월 중국 중앙정부 승인
05년 04월 중국 합작공장 기공식
06년 04월 200mm 웨이퍼 생산 라인 가동 시작
06년 06월 200mm 웨이퍼 양산 돌입
06년 07월 300mm 웨이퍼 생산 라인 가동
06년 10월 300mm 웨이퍼 양산 돌입

2006년 10월 10일(火)
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