하이닉스반도체, 낸드플래시 300mm 전용 청주 제3공장 준공

하이닉스반도체(대표: 김종갑, www.hynix.co.kr)는 28일, 정부 및 유관기관 관계자, 시민대표 등 500여 명이 참석한 가운데 청주 제3공장 준공식을 가졌다.

지난해 4월 ‘제2의 창업’ 선언과 동시에 건설을 추진해 1년 4개월여 만에 복층 구조로 완공한 청주 제3공장은 기존 200mm 라인을 업그레이드한 이천의 M10 라인과 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시의 HC2 라인에 이어 최고의 투자효율성을 자랑하는 300mm 라인이다. 이로써 하이닉스는 300mm 생산능력을 현재 월 30만장 이상에서 추가로 월 20만장 이상까지 확장할 수 있어 메모리반도체 업계의 성장과 발전의 필수요건인 300mm 설비역량을 획기적으로 확충하게 됐다.

특히 하이닉스 최초의 낸드플래시 전용 300mm 라인으로 건설된 청주 제3공장 중 먼저 가동에 들어간 M11라인은 오는 9월부터 월 4만장 규모의 양산체제를 갖추고 40 나노급 초미세 공정으로 16기가비트(Gb), 32기가비트(Gb) 등 대용량 제품을 생산할 예정이며, 향후 시장상황에 따라 생산량을 계속 확대해 나갈 방침이다.

청주 제3공장은 10만8,697㎡의 부지에 부대시설을 포함한 연면적 29만4,637㎡ 규모로 청주사업장 인근에 건설돼 기존 청주 1, 2공장이 보유한 인력과 부대시설의 인프라를 최대한 활용할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한 도심 속 친환경 라인으로서 최첨단 대기처리와 같은 환경관련 시설도 갖췄다.

김종갑 사장은 이날 기념사를 통해 “청주 제3공장 준공을 기점으로 청주사업장을 세계 낸드플래시 생산 1번지로 육성할 예정”이라고 밝혔다. 또한 “반도체 경기의 회복이 다소 지연되고 있지만, 하이닉스는 기술 및 원가 경쟁력을 더욱 강화하는 한편, 업계 최고 수준의 R&D투자, 전략적 제휴 확대 및 상생의 협력 증진을 통해 미래 성장동력을 지속적으로 확충해 나갈 것”이라고 강조했다.

2008년 8월 28일 (木) -끝–

■ 청주 제3공장 설립 일지
- 2007년 3월 23일 부지 매입
4월 26일 기공식
12월 29일 라인 골조 공사 완료
- 2008년 2월 26일 클린룸 정상 가동 개시
2월 29일 사무실 이전 및 공사 완료
3월 5일 장비 반입식
8월 28일 준공식

■ 하이닉스반도체 생산라인 현황

※ 대만 프로모스 - 위탁생산

■ 참고자료: 청주공장 기본정보
이천사업장은 한 개의 단지 안에 M7, M10 생산시설과 부대시설 등이 함께 있으나, 청주사업장의 경우 각 생산라인이 입지상 떨어져 있어 3개의 공장으로 구분해 부르고 있습니다.
* 하이닉스 한국 생산 기지

1) M11 & M1x(미정) 팹 규모
- 건축면적: 42,536 ㎡
- 연면적: 207,552 ㎡
- 건물규모: 6층 (이 중 3개 층의 M11 위에 3개 층의 M1x(미정)이 올라가있는 복층 구조)
* 복층 구조란? 이천 공장의 경우 상부(클린룸-생산담당)와 하부(생산보조 유틸리티)로 구성된 하나의 팹(단층구조)으로 설계되었으나, 청주의 경우 이 팹이 2층집처럼 겹으로 구성된 복층으로 설계되어 있다.

2) 청주 제3 공장 규모
- 대지면적: 108,697 ㎡
- 건축면적: 68,619 ㎡
- 연면적: 294,637 ㎡
- 건물규모: 1개의 FAB, 15개 부대건물 (총 16개)