- 54나노 기반 1Gb DDR2 D램 인텔 인증 획득
- 초고속, 저전력으로 DDR2 시장 선도
/%EB%B3%B4%EB%8F%84%EC%9E%90%EB%A3%8C(1017)/2007/1123/%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4(%EB%8C%80%ED%91%9C%20%EA%B9%80%EC%A2%85%EA%B0%91%2c%20www.hynix.co.kr)%EB%8A%94%20%E7%BE%8E%20%EC%9D%B8%ED%85%94%E7%A4%BE%EB%A1%9C%EB%B6%80%ED%84%B0.jpg?width=240&name=%ED%95%98%EC%9D%B4%EB%8B%89%EC%8A%A4%EB%B0%98%EB%8F%84%EC%B2%B4(%EB%8C%80%ED%91%9C%20%EA%B9%80%EC%A2%85%EA%B0%91%2c%20www.hynix.co.kr)%EB%8A%94%20%E7%BE%8E%20%EC%9D%B8%ED%85%94%E7%A4%BE%EB%A1%9C%EB%B6%80%ED%84%B0.jpg)
하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 美 인텔社로부터 54나노 공정 기술을 적용한 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다.
이번에 인증을 획득한 54나노 1Gb DDR2 D램은 현재 양산중인 66나노 공정 대비 50% 이상 생산성이 증가된 제품으로 비용절감의 효과가 크고, 새로운 공정 기술을 도입하여 기능이 향상된 제품이다. 새로 적용된 공정 기술은 동작을 보다 안정적으로 하기 위해 입체적으로 설계한 ‘3차원 트랜지스터 기술’과 ‘텅스텐 듀얼 폴리 게이트(W-DPG) 공정’으로 누설 전류를 제어하여 전력 소비를 줄이면서 동작 속도는 향상시키는 획기적인 기술이다.
이 공정 기술은 1Gb DDR3 D램 제품까지 확대 도입될 예정이며, 1Gb DDR2 D램 제품은 DDR3 D램 제품과 더불어 내년 하반기부터 본격 양산된다. 하이닉스반도체는 인증 획득을 통해 공식 검증된 이번 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC용 D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등 다양한 고부가가치제품에 확대 적용하여 제품 경쟁력을 더욱 확고히 할 예정이다.
하이닉스반도체의 관계자는 “54나노 공정으로 제조된 1Gb DDR2 D램의 인증 획득은 하이닉스의 첨단 기술력 및 원가 경쟁력을 보여주는 것으로, 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 초고속 제품을 양산 가능하게 되었다는 점에서 큰 의미가 있다” 고 밝혔다.
2007년 11월 23일(金)
-끝-
