SK하이닉스, 반도체 국산화와 글로벌 경쟁력 인정받아 정부 포상 수상

▲ ‘2024 소부장 뿌리 산업 발전 유공 포상 시상식’에서 산업포장을 수상한 SK하이닉스 김용탑 팀장(장비구매)

SK하이닉스는 지난 10월 30일 일산 킨텍스에서 열린 ‘2024 소부장 뿌리 산업 발전 유공 포상 시상식’에서 김용탑 팀장(장비구매)이 산업포장을 수상했다고 6일 밝혔다.

이 시상식은 산업통상자원부가 주관하여 소재·부품·장비 산업의 발전과 기술 혁신에 기여한 유공자들에게 포상하는 행사로, 공적에 따라 산업포장, 대통령 표창, 국무총리 표창 등이 수여된다. 특히 산업포장은 글로벌 경쟁력 강화와 공급 안정화에 기여한 인물에게 수여되는 상이다.

김용탑 팀장은 ▲반도체 공정 필수 부품·장비의 국산화 항목 선정 및 장비사 협력을 통한 국산화 ▲글로벌 경쟁력 강화에 기여한 공로를 인정받아 이번 산업포장을 수상했다.

▲ (첫 장부터) 시상하는 산업통상자원부 이승렬 산업정책실장(왼쪽)과 김용탑 팀장(가운데), 수상자들과 단체 기념사진을 찍고 있는 김용탑 팀장(왼쪽부터 다섯 번째)

김 팀장은 소재·부품·장비 산업의 미래를 이끌 다섯 개 선도 품목 발굴과 선정에 참여했으며, 그중 차세대 반도체용 ALD* 전구체 및 장비, 3차원 웨이퍼 간 직접 본딩 장비 분야를 상세화하는 데 중추적인 역할을 수행했다. 또한 국가연구개발 사업의 소재·부품·장비 특정 평가 반도체 분야 평가위원으로서 CMP* 소재·부품·장비에 대한 품목 분석과 대응 전략을 수립하여 반도체 산업 발전과 정책 실현에 기여했다.

* ALD(Atomic Layer Deposition): 원자층 증착으로 막을 형성하는 방식 중 가장 발전된 방식이다. 산화는 산소와 실리콘을 결합시켜 절연막을 형성할 때 적용하는 방식이다. ALD와 산화는 불순물 도핑과는 직접적인 연관이 없다. 어닐링(Annealing)은 이온주입 공정 후에 원자 간의 결합력을 회복시키기 위해 진행하는 공정이다.
* CMP(Chemical Mechanical Polishing): 반도체 주요 공정 중 하나로, 웨이퍼 표면에 입혀진 박막에 발생된 요철이나 굴곡을 화학/기계적 요소를 통해 연마(Polishing)해 평탄화(Planarization)하는 공정이다.

특히 질화탄소규모(SiCN) CVD 장비*, 웨이퍼 후면 증착(Backside Deposition) CVD 장비*를 생산 기업과 협력해 개발하고, 이를 양산화하는 데 주도적인 역할을 했다

* 질화탄소규모(SiCN) CVD 장비는 반도체 제조 공정에서 실리콘, 탄소, 질소가 포함된 SiCN 층을 웨이퍼 표면에 증착하는 장비이다. 이 장비는 절연층 및 보호층 형성에 활용되며 내열성과 내습성 등 소자의 안정성을 높이는 역할을 한다.
* 웨이퍼 후면 증착(Backside Deposition) CVD 장비: 웨이퍼의 뒷면에 화학기상증착 방식으로 얇은 박막을 형성하는 장비이다. 이 장비는 주로 열 관리나 정전기 방지 등을 위해 후면에 균일한 절연층이나 보호층을 증착하는 데 사용된다.

이를 통해 김 팀장은 공급망 위기 상황에서 산업통상자원부 및 장비사와 협력하여 반도체 공정 필수 부품과 장비의 국산화를 성공적으로 이끌었으며, 수출 확대에 기여한 공로를 인정받았다.

▲ ‘2024 소부장 뿌리 산업 발전 유공 포상 시상식’에서 산업포장을 수상한 SK하이닉스 김용탑 팀장(장비구매)

김 팀장은 “정부와 협력사, 그리고 SK하이닉스가 힘을 합쳐 이루어낸 성과”라며 “국산화뿐만 아니라 해외 협력사의 국내 거점 확보와 국내 업체의 성장을 통해 반도체 생태계를 강화하겠다”고 포부를 밝혔다.