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현대전자, 초고속 512메가 DDR SD램 개발

Written by SK하이닉스 | 2001. 1. 11 오전 12:00:00

 

- 0.12미크론 초미세 회로선폭 기술 적용한 상용제품 개발
- JEDEC의 PC-333MHz 초고속 데이터 처리속도 구현
- 반도체 통합 이후 첫 통합 기술 적용으로 시너지 효과 창출

 

현대전자(대표 朴宗燮)가 세계 최초로 데이터 처리속도 333㎒를 구현한 초고속 512메가 DDR(Double Data Rate) SD램의 상용제품 개발에 성공했다고 10일 밝혔다.

 

현대전자가 이번에 개발한 제품은 0.12미크론(1미크론=1백만분의 1미터)의 초미세 회로선폭 가공기술을 적용해 2.5V의 저전압에서도 동작이 가능하게 한 제품이다. 이 제품에 적용된 0.12미크론 회로선폭 기술은 머리카락 한올에 900여개의 가는 선을 그을 수 있는 초미세 가공기술로써, 현대전자는 이번 개발 성공으로 0.10미크론 이하급 반도체 한계기술 극복을 위한 기반을 마련했다는 점에서 높게 평가하고 있다.

 

이 제품의 PC-333㎒는 1초 동안에 최대 666만개의 문자를 전송할 수 있는 속도로, JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 DDR SD램 제품의 신규격으로 표준화 하고자 하는 초고속 데이터 처리 성능을 완벽히 충족시킴으로써 시스템과 메모리간의 동작속도 지연문제를 해결할 수 있게 됐다.

 

또한 이번 제품은 256M D램 이하 제품에 사용되는 기존 패키지에 바로 장착할 수 있을 정도로 소형 크기이며, 512M D 36개를 한 개의 모듈로 만들면 세계 최대의 2기가 바이트 모듈제작이 가능해 고성능 PC나 서버, 워크스테이션 등의 기존 시스템 제품의 설계변경 없이 곧바로 메모리 업그레이드(Up-grade)가 가능하다.

 

개발책임자인 메모리연구소의 尹奎漢 이사는 "이번 제품은 지난 1999 10월 舊 LG반도체와의 통합 이후 양사의 연구인력이 함께 설계 및 공정기술 부문 등에서 실질적인 통합 시너지(Synergy) 효과를 발휘한 첫번째 작품이라는데 의미가 있다"고 밝혔다.

 

2001 1 11()

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