- 머리카락 두께 1/1000 수준(0.09 미크론)의 초미세 회로 형성
- 차세대 메모리 개발 위한 핵심기술 확보
현대전자(대표: 김영환)가 세계 최초로 차세대 메모리 16기가(Giga = 10억)bit D램을 제작할 수 있는 초미세 회로 형성 기술을 개발했다고 17일 밝혔다. 현대전자는 최근 반도체 회로선폭이 머리카락 두께의 1000분의 1 수준인 0.09미크론(90나노미터. 1nm=10억분의 1m)급 초미세 회로 형성 기술 개발에 성공, 관련 기술 10건을 특허 출원했다.
현대전자 선행기술연구소 백기호 박사는 "이번 초미세 회로형성 기술개발로 16기가 D램 개발기간을 2년 정도 단축할 수 있게 되었으며, 4기가 D램급 이상 차세대 메모리 제조에 필요한 핵심 기술을 확보했다는 점에서 의미가 크다."고 밝혔다. 현대전자는 비광학 노광장비 중 하나인 전자빔 노광장비를 이용해 공정기술을 최적화시키고, 이와함께 우수한 특성을 갖춘 차세대 스텐실 마스크(Stencil Mask)를 자체 개발, 적용함으로써 0.09 미크론 급 초미세 회로형성에 성공했다. 노광장비는 사진 기법을 이용, 회로가 그려진 마스크에 빛을 통과시킴으로써 웨이퍼에 회로를 형성하는 반도체 공정의 핵심 장비이다. 0.13 미크론 이하의 회로 형성 기술이 요구되는 4기가 D램부터는 기존의 광학 노광장비와 마스크 대신 비광학 노광장비와 차세대 마스크 제작 기술이 요구된다.
세계적 반도체 업체들이 미국 인터내셔날 세마텍(International Sematech)과 일본의 셀리트(SELETE)에 참여하여 비광학 노광 장비 및 이를 이용한 차세대 반도체 공정 개발을 집중적으로 연구하고 있으나, 제품 개발에 직접 적용할 수 있는 0.09 미크론 회로기술 개발은 현대전자가 세계에서 처음이다. 현대전자는 이번 초미세 회로 기술 개발을 통해 세계 최고의 반도체 기술력을 입증하게 되었다. 기존 광학 노광장비 대신 전자빔 노광장비를 이용할 경우, 노광 공정에 소요되는 시간이 현저히 늘어나 양산단계 적용에 어려움이 있었는데, 현대전자는 전자빔 노광장비를 이용하면서도 공정 시간을 기존 (전자빔 노광장비 사용시) 보다 50배 정도 단축시킴으로써 비광학 노광 기술을 제품 개발에 실용화 할 수 있는 전기를 마련했다.
전자빔 등 비광학 노광장비를 이용하기 위해서는 기존 광학 노광 공정에서 사용되는 기존 마스크(석영 기판) 대신 차세대 마스크인 스텐실 마스크가 필요하다. 이미 소수의 외국연구소에서는 실험실 수준의 스텐실 마스크 제작 기술을 보유하고 있으나 현대전자는 웨이퍼 생산라인(Wafer FAB.)에서 스텐실 마스크를 직접 제작할 수 있어 양산단계 적용시 특별한 추가투자가 필요하지 않고, 기존 공정기술을 활용한 차세대 마스크 기술 실용화가 가능해졌다.
1998년 9월 18일(金)
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