SK하이닉스가 초당 9.6Gb(기가비트)의 데이터를 전송할 수 있는 현존 최고속 모바일용 D램인 ‘LPDDR5T’의 16GB(기가바이트) 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 13일 밝혔다.

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 3분기 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조 1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다.

SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’*의 상용화에 나섰다. 회사는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지(Qualcomm Technologies; 이하 퀄컴)의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼(Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform)에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스는 18일부터 26일까지 하반기 신입사원 수시채용 서류접수를 진행하고 있다고 20일 밝혔다. 모집 직무는 설계, 소자, R&D, Solution 설계, 양산기술 P&T 등 11개 분야로, 회사는 서류접수 이후 약 2개월간 채용 일정을 진행해 오는 12월 최종합격자를 발표할 예정이다.

최태원 SK 회장이 15일 경기 용인시 원삼면에 건설 중인 '용인 반도체 클러스터'(이하 용인 클러스터)를 방문했다고 SK하이닉스가 이날 밝혔다. SK하이닉스는 “지난 6월부터 용인 클러스터 부지 조성작업이 본격화된 가운데, 최 회장은 이날 공사 현황을 점검하고 구성원들을 격려하기 위해 현장을 찾았다”고 설명했다.

SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM3E’* 개발에 성공하고, 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

SK하이닉스가 스마트폰 등 모바일 기기용 고성능 D램인 LPDDR5X 24GB 패키지를 고객사에 공급하기 시작했다고 11일 밝혔다.

SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행중이라고 공식화했다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023’*에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다.

SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출 7조 3059억 원, 영업손실 2조 8821억 원(영업손실률 39%), 순손실 2조 9879억 원(순손실률 41%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다.

SK하이닉스가 영국표준협회(BSI, British Standards Institution)로부터 준법 경영표준(ISO 37301)과 부패방지 경영표준(ISO 37001) 인증을 동시에 획득했다고 21일 밝혔다.