| 미국 법인에서 주요고객 및 파트너 초청해 ‘2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄’ 개최
| 초고속메모리(HBM) 생태계 본격 확대 나서
SK하이닉스(대표: 박성욱, www.skhynix.com)가 현지시간으로 18일(水), 산호세에 위치한 미국 법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다고 밝혔다. 이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여 개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여 명이 참여해 SK하이닉스의 HBM 기술에 대한 큰 관심을 드러냈다.
SK하이닉스는 지난해 말 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 뒤이어 이번 심포지엄을 개최해 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써, 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대된다.
특히, SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 이번 심포지엄에 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(Interposer) 위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.
SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.
SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다”며 “협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해나가겠다”고 밝혔다. <끝>
■ TSV (Through Silicon Via, 실리콘관통전극)
2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식. 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.
■ 인터포저 (Interposer)
회로 기판과 칩 사이에 들어가는 기능성 패키지 판으로, 특성이 다른 칩들을 한 데 결합할 수 있다.
■ SoC (System on Chip)
여러 가지 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 집적한 반도체
■ SiP (System in Package)
한 패키지를 여러 개의 칩으로 구성해 완전한 시스템을 구현한 것
■ HBM을 SoC와 결합한 개념도
사진설명: SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 케빈 위드머(Kevin Widmer) 상무가 HBM에 대해 설명하고 있다.