- 전기도금 공정과 표면실장 공정서 128M SD램 제품 적용
- 환경친화적 반도체 제조 및 선진국 무역장벽에 능동 대처
- 올해 6월까지 제품 양산 및 후속 제품 연구개발에 박차
현대전자(대표 朴宗燮)가 국내 최초로 '납(Pb) 없는 반도체 패키지 및 반도체 메모리 모듈(Module)'을 개발하는데 성공했다고 4일 발표했다.
현대전자가 이번에 개발한 기술은 128M SD램 (PC-100) 제품에 적용, 리드 프레임(Lead Frame)의 전기도금 공정과 모듈 제조를 위한 표면실장(Surface Mounting Technology) 공정에서 납을 전혀 사용하지 않는 획기적인 기술이다.
기존에는 D램 제조과정中 전기도금 공정에서 도금의 재질을 주석(Sn)과 납이 9:1의 비율로, 표면실장 공정에서는 솔더(Solder, 납땜)의 재질을 주석과 납과 은(Ag)이 62:36:2의 비율로 사용했었다.
현대전자는 이번 기술 개발로 반도체 패키지의 신뢰성 향상, 반도체용 무연(無鉛) 솔더 도금 기술 및 무연 솔더를 이용한 메모리 모듈 제작기술 등 전 과정에 걸쳐 성공적인 무연 솔더 기술을 확보하게 됐다. 특히 무연 솔더 기술은 기존의 공정 솔더 합금보다 약 30도 정도 높은 작업온도를 요구하고 있어 제품의 신뢰성이 가장 큰 해결 과제였으나, 현대전자는 이번 무연 솔더 기술을 사용하여 높은 온도에서도 기존의 제품과 동일한 신뢰성을 확보할 수 있게 됐다.
이에 따라 현대전자는 환경친화적인 반도체를 조기 공급할수 있는 체제를 갖추게 됐으며, 선진국의 무역장벽에도 능동적으로 대처하는 효과가 있을 것으로 기대하고 있다.
2001년 1월 5일(金)
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