하이닉스반도체, 차세대 DDR4 D램 개발

하이닉스반도체(대표: 권오철(權五哲), www.hynix.co.kr)는 4일(月), 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) 차세대 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다. 또한, 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 완료했다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 2배 가량 높인 차세대 D램 규격이다. 하이닉스는 업계 선두수준의 DDR4 제품 개발을 통해 차세대 기술을 확보하고 ECC-SODIMM을 통해 성능을 확인함으로써 향후 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

이번에 개발된 DDR4 D램은 1.2V 저전압에서 업계 최초로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현해 기존 DDR3 1333Mbps 제품대비 처리속도가 80% 가량 향상됐다. 2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2기가바이트의 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 또한, D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.

하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경∙저전력∙고성능 특성을 모두 만족시켰다”면서, “이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것” 이라고 밝혔다.

한편, 아이서플라이(iSuppli)는 DDR4 D램 비중이 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘어 시장의 주력제품이 될 것으로 예상하고 있다. 또한, DDR3 D램 비중은 2012년 71%로 최고치를 기록한 뒤 2013년과 2014년에는 각각 68%, 49%로 점차 비중이 감소할 것으로 전망하고 있다.

하이닉스는 차세대 공정을 적용한 세계 최고수준의 DDR4 D램을 2012년 하반기부터 양산해 DDR4 D램 시장을 선도한다는 계획이다.

2011년 4월 4일(月)
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■ ECC (Error Check & Correction)
메모리 데이터 전송시 일시적으로 발생할 수 있는 에러에 대한 감지, 수정기능으로 서버와 같이 높은 신뢰성이 요구되는 어플리케이션용 메모리의 필수기능

■ ECC-SODIMM (ECC Small Outline Dual In-line Memory Module)
ECC 기능을 위한 별도의 D램 칩을 장착한 모듈 타입으로 초소형(마이크로) 서버, 워크스테이션 및 임베디드 시스템 등에서 사용되는 소형 메모리 모듈

■ 기가비트 (Gb) & 기가바이트 (GB)
- 기가 (Giga) ; 10억(109) 배를 나타내는 접두어 -
비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’ 메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1)
- 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 ‘B’ 정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라 함