- 일반적인 S램과 달리 D램 셀 구조 채용해 고집적 대용량화
- 기존 S램과 완벽 호환되는 16메가 및 32메가 제품 동시 개발
- 업계 최소형 패키지 및 超 저전력화로 높은 경쟁력 확보
하이닉스반도체(대표 朴宗燮, www.hynix.com)가 차세대 이동통신 단말기용 대용량 S램을 개발, 전세계 이동통신 단말기 업체에 상용 샘플(Sample)을 공급하기 시작했다고 29일 밝혔다.
하이닉스반도체가 이번에 개발한 제품은 일반적인 S램 구조와 달리 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터(축전기, Capacitor)로 구성되는 D램의 셀(Cell) 구조를 채용한 ‘슈도(Pseudo) S램’16메가 및 32메가 두 제품으로, 회로선폭 0.18미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세회로 공정기술을 적용했다. 또한 기존 이동통신 단말기(Mobile Application)用 S램과 호환될 뿐만 아니라 업계 최초로 기존의 범용 저전력(Low Power) S램 과도 완벽한 호환성을 가지도록 설계되었다.
하이닉스반도체는 이 제품에 대해 동작전압 2.5V, 3.0V, 2.3V~3.6V의 다양한 제품군을 구비했으며, 70ns 및 85ns의 빠른 속도로 데이터 처리가 가능해 고속화 및 저전력화를 요구하는 차세대 이동통신 단말기에 적합하다고 설명했다.
특히, 이 제품은 대기 모드(Mode)일 때에 전력소모가 100㎂ (1마이크로 암페어=100만분의 1A)이며, 또한 제품 내부의 회로동작(Refresh)을 중지시켜 전력소모를 1㎂ 이하로 줄일 수 있는 ‘Deep power down mode’를 채택하여 불필요한 전력소모를 방지함으로써 배터리의 수명 연장이 가능하다.
제품 크기는 업계에서 가장 작은 7㎜ x 8㎜의 48ball FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) 패키지 기술을 적용해 실장면적을 최소화 하는 등 시장의 소형화 요구에 적극 부응, 높은 경쟁력을 확보했다.
하이닉스반도체는 이미 해외 유력 업체를 대상으로 샘플 공급에 들어 갔으며, 내년 1사분기부터 본격 양산에 들어가 이 제품(16메가 환산 기준)으로만 2002년 약 1억불의 매출을 기대하고 있다.
‘슈도 S램’은 고성능(High-end) 이동통신 단말기를 비롯한 PDA, 디지털 비디오 카메라 등 무선 단말기를 겨냥하여 하이닉스반도체가 전략적으로 연구 개발한 제품으로, 향후 IMT-2000 시장의 발전에 따라 기존의 휴대전화용 S램 시장을 빠르게 대체해 나갈 것으로 내다보고 있다.
한편, 전세계 이동통신 단말기 시장은 올해 3억9천만대로 형성될 것으로 보고 있으며, 내년은 4억6천만대로 15% 이상 성장할 것으로 전망하고 있다.
하이닉스반도체는 지난 99년 이래 지속적인 관심과 투자로 S램 사업을 강화하여 괄목할 만한 고성장으로 업계 상위권에 진입하는데 성공했으며, 향후에도 연구개발과 서비스 개선 등을 통해 세계 S램 시장을 선도해 나갈 계획이다.
2001년 11월 29일(木)
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■ 용어 설명
- FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) : 반도체 실장기술에서 프린트 배선 기판의 뒷면에 원형의 납땜을 어레이상으로 줄지어 배열해 리드를 대신하는 표면 실장형 패키지의 한가지.