- 세계 최초로 0.15미크론 초미세 공정 기술을 양산에 적용
- 기존 생산라인에 추가 투자없이 양산 적용 가능
- 기존 1세대 제품에 비해 웨이퍼 1장당 칩의 개수(Net Die)를 70% 향상, 월등한 가격경쟁력 보유
- 데이터 처리속도(166㎒) 세계 최고속 양산 제품
현대전자(대표:金榮煥)가 세계 처음으로 회로선폭 0.15미크론의 초미세 공정기술을 적용하여 데이터 처리속도 166㎒의 초고속 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용 제품을 개발했다.
이번에 현대전자가 개발한 2세대 256메가 싱크로너스 D램은 21세기 초 반도체 메모리 시장의 주역이 될 것으로 주목받는 제품으로 기존 1세대 제품에 비해서 칩 크기가 40%정도 작고, 웨이퍼 한장당 칩의 개수(Net Die)를 70% 향상시킨 제품으로서, 현재 소량 생산중에 있는 경쟁사의 1세대 제품에 비해 월등한 가격 경쟁력을 가질 것으로 예상된다.
이 제품은 양산에 적용중인 1세대 256메가 싱크로너스 D램의 공정의 상당 부분을 그대로 채택하고 있어, 기존 생산 Line에 대한 추가적인 신규 투자 없이 양산에 적용할 수 있으므로, 경쟁사 대비 원가 측면에서 경쟁력을 확보하여 64메가 및 128메가 싱크로너스 D램 이후의 메모리 반도체분야의 급격한 세대 교체에 주도적으로 대응할 수 있게 되었다.
이번 2세대 256메가 싱크로너스 D램은 2백자 원고지 8만4천장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있는 용량으로 3.3V의 외부전압을 사용하고 데이터 처리속도 166㎒를 지원함으로써 현재 시판중인 Intel社의 모든 CPU를 지원하는 동시에 기존의 모든 중대형 컴퓨터, 워크스테이션, 개인용 컴퓨터 및 그래픽용 시스템에 채용이 가능한 월등한 경쟁력을 갖고 있다.
또한 현대는 이번 2세대 256메가 싱크로너스 D램 개발에 자체 기술로 개발한 IMC(Inner MPS cylinder)기술을 적용했다. IMC기술은 I자형을 기본으로 한 집적구조에 홀을 형성, 메모리의 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩 크기를 줄이고 기억용량을 결정하는 전하저장 유효면적을 증대시켜 칩에 대한 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다. 현재 대부분의 반도체 업체들은 스택형(Stack型) 집적구조를 사용하고 있는데 이 기술은 제조공정이 안정된 반면 칩 크기 축소에 한계가 있는 것으로 알려졌다.
이 회사 金世楨 부사장(메모리연구소장)은 "이번에 개발한 IMC기술은 기존의 64메가 D램 생산 장비를 대부분 그대로 사용할 수 잇점도 있다"며 앞으로 낮은 제조 원가로 256메가 D램 시장을 주도해 나갈 것이라고 말했다. 현대전자는 이미 주요 대형 컴퓨터업체에 기존 256메가 싱크로너스 D램 샘플을 공급하고 있으며 오는 2000년 1/4분기부터는 2세대 256메가 싱크로너스 D램 본격 양산에 들어가, 7천만개로 예상되는 全세계 수요량 중 20% 이상을 생산 판매할 계획이다.
한편 현대전자는 이번 2세대 256메가 싱크로너스 D램 개발에 적용된 0.15미크론 초미세 공정기술을 현재 주력 제품인 64 및 128메가 D램에도 적용, 내년중에 양산할 예정이며 이를 통해 메모리 반도체 제품의 생산성 및 원가경쟁력을 크게 높일 계획이다.
1999년 11월 9일(火)
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