- 세계적으로 권위있는 MNC국제학술대회에서 수상
- 기존 장비를 활용, 추가공정없이 차세대급 회로 형성 가능한 기술
현대전자(대표:김영환)가 발표한 논문이 세계적으로 권위있는 학술대회에서 최우수 논문으로 선정됐다. 이번 논문은 현대전자 메모리연구소에서 발표한 초미세회로 형성공정에 관한 것(The Implementation of sub-150㎚ Contact Hole Pattern by Resist Flow Process)으로 지난 MNC '98 (International Microprocess and Nanotechnology Conference)국제학술대회에서 최우수 논문으로 선정되어, 최근 일본 요코하마에서 개최된 MNC '99에서 수상식을 가졌다. 그리고 위 논문은 일본물리학회 논문집(JJAP: Japanese Journal of Applied Physics. Vol.37 (1998) pp.6863-6868)에도 수록되어 반도체 관련회사들의 주목을 받았다.
현재 반도체 생산 업체간에 치열하게 벌어지고 있는 Chip Size의 축소 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 회로선폭의 초 미세화 기술과 0.20 미크론 이하의 홀 회로 형성 기술 확보가 필수적인데, 현재 64메가 D램 양산에 사용되는 크립톤 플로라이드(KrF) 노광기술의 홀 회로형성 한계 해상도는 0.20 미크론(백만분의 1미터) 정도이다. 이러한 한계 해상도의 한계 극복을 위해 현대전자가 개발한 감광제 공정(Resist Flow Process)은 감광제에 일정 수준의 열에너지를 더하여, 0.15 미크론 이하의 초미세 홀 회로를 형성 하는 기술이다.
이번 기술은 ▲ 기존의 반도체 장비를 이용하여 차세대급의 회로형성이 가능하고 ▲ 공정이 단순하여 공정 추가가 필요없으며, ▲ 불량률이 적고 공정능력이 우수하다는 특징이 있어 실제 공정 적용성이 매우 높은 것으로 평가되고 있다. 현재 현대전자는 초미세회로 형성공정을 이용하여 256M급 DRAM 제조를 위한 홀 회로형성에 사용 중이며, 차세대 1기가, 4기가 D램에서 사용될 0.10미크론 이하의 홀 회로형성을 위해 크립톤 플로라이드 감광제 뿐만 아니라 아르곤 플로라이드 감광제(ArF)를 이용한 초미세회로 형성공정 개발에도 박차를 가하고 있다.
한편 MNC (International Microprocess and Nanotechnology Conference)는 IEEE의 후원으로 매년 개최되며 올해로 12회째를 맞는 반도체 공정 분야의 권위 있는 학술대회이다.
1999년 8월 20일(金)
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