- 업계 최초로 512메가(64Mx8) 단품 및 모듈 제품인증 동시 획득
- DDR400 생산능력 현재 60%에서 연말까지 90%로 확대 예정
- 고성능 DDR 생산 주력으로 차세대 메모리 시장서 주도적 역할
하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.com)가 업계 최초로 美 인텔社로부터 고성능 메모리 반도체인 512메가 DDR SD램 단품 및 모듈에 대한 DDR400 제품인증(Validation)을 획득했다고 17일 밝혔다.
지난 2월 인텔로부터 256메가(32Mx8) 단품 및 모듈에 대한 DDR400 제품인증을 받은 바 있는 하이닉스반도체는 이번에 512메가(64Mx8) DDR SD램 단품 및 同 단품으로 구성된 모듈이 동시에 인텔의 DDR400에 대한 모든 테스트를 통과함으로써 초고속 DDR 제품에 대한 경쟁력을 더욱 강화하게 되었다.
하이닉스반도체는 인텔의 스프링데일 칩셋 출시 효과 등으로 인한 DDR400에 대한 공급부족 현상이 연말까지 지속될 것으로 판단, 전체 D램 생산량의 약 80%를 차지하고 있는 DDR 제품 중에서 DDR400의 생산능력을 현재 약 60%에서 올 연말까지 90%로 확대할 계획이다.
하이닉스반도체는 향후 고부가가치 제품인 DDR400 및 DDR2 등 고성능 DDR 생산에 주력하여 빠르게 성장하는 차세대 메모리 시장에서 선도적 지위를 강화하고 우수한 기술 및 원가 경쟁력을 바탕으로 고수익 창출에 박차를 가할 계획이다.
2003년 6월 17일(火)
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- 인텔社 웹사이트(http://www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/dram_results.htm) 및
(http://www.intel.com/technology/memory/ddr/valid/dimm_results.htm)에서 확인 가능