현대전자,이동통신단말기용 4메가 S램 본격 출하

현대전자(대표:朴宗燮)가 지난해 말 개발한 이동통신 단말기용 4메가 S램의 대량공급 체제를 완비하고 최근 본격적인 출하를 개시했다. 회로선폭 0.25미크론(1미크론 = 100만분의 1미터)급의 공정기술이 적용된 이번 제품은 초소형 패키지인 CSP를 채택한 1.8V, 2.5V, 3.0V의 세가지 제품군으로 휴대폰의 저전압 추세에 대응하였으며, Standby Mode(대기상태)에서 1마이크로 암페어(㎂) 이하의 저전력 소비형으로써 휴대전화의 가장 중요한 요소인 전력 소모면에서도 매우 우수한 특성을 가지고 있다.

현대전자는 同제품을 금년 4천만개정도 생산할 계획이며 현재 세계적인 대형 이동통신 단말기 제조업체들로부터 중장기 공급 요청을 받아 놓는 등 제품 주문이 밀려있는 상태이다. 이로써 同社는 가격 Premium을 갖는 1.8V 제품군(1M, 2M, 4M)에 대해 업계 최초로 양산 체제를 갖춤에 따라 초고속 성장을 거듭하고 있는 이동통신 단말기의 관련 부품 시장을 선점할 수 있는 발판을 마련하였다. 특히 현대전자는 휴대전화 시장의 높은 성장세에 힘입어 올해 SRAM 부문에서 99년 매출 대비 400%이상의 고성장을 목표로 업계 상위권 진입을 노리고 있으며, 2001년부터는 업계의 선도업체로서 세계 SRAM 시장을 이끌어 나간다는 전략이다.

한편 전세계 이동통신 단말기 시장은 98년 1억7천2백만 대에서 99년 2억8천3백만 대로 높은 성장률을 기록했으며, 올해는 약 4억5천만대 이상이 될 것으로 예측되고 있다. 현대전자는 이에 적극 대응하여 지난해 말 다양한 제품군( 256K ~ 4M SRAM)의 확보를 마치고 시장 공략에 나서고 있으며, 올해 3/4분기와 4/4분기에는 각각 8M, 16M Low Power SRAM 샘플을 출하하여 차세대 이동통신 단말기시장에 능동적으로 대처할 계획이다.

현대전자는 지난해 현대반도체(舊 LG반도체)와의 합병으로 풍부한 개발인력과 생산 설비를 확보함에 따라 세계 유수의 이동통신 단말기 제조업체로부터 안정적인 공급 능력을 인정받아 중장기 공급 계약을 체결하였으며, 앞으로 지속적인 칩소형화(Shrink)를 통해 생산 단가를 낮추어 이익의 극대화를 추진하는 한편, SRAM 사업의 다각화를 위해 휴대전화시장에 이어 급속한 성장세에 있는 Network 向 제품으로 4M, 8M Fast/Sync SRAM을 出市하여 통신시장에 초점을 맞추어 제품 및 사업력을 집중한다는 방침이다.

2000년 3월 9일(木)
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■ 용어 설명

- Low Power SRAM (Static Random Access Memory) : 기억 소자가 6개의 트랜지스터로 이루어짐에 따라 DRAM 보다 사용상 간단하고 전력 소비가 작아 휴대 기기 등의 배터리 공급 전자 제품에 주로 사용되어지는 메모리 제품

- CSP (Chip Scaled Package) : Package를 가능한 한 얇고 작게 하기 위해 Rare chip과 거의 같은 크기로 Package한 것을 말함.