- 99년부터 주문형반도체, 복합반도체 등 양산 예정
- 기존 4MD램 생산시설 활용, 고부가가치 비메모리 제조가능
현대전자(대표: 김영환)가 즉시 양산 적용 가능한 0.25㎛(미크론: 100만분의 1 미터) 비메모리 제조기술(Logic Technology)을 독자적으로 개발하였다.
이번에 개발한 0.25㎛ Logic Technology는 향후 통신 및 멀티미디어 분야에서 요구되는 초고속, 저소비 전력을 필요로 하는 제품 및 비메모리와 메모리를 한개의 반도체 Chip에 집적하는 고부가가치 복합반도체(SOC: System-on-Chip) 등을 제조할 수 있는 첨단기술로써 현재 몇몇 해외 선진업체들만이 양산에 성공한 상태이며, 이는 메모리 제조기술과 비교하면 1기가 DRAM급 이상의 기술수준으로 평가된다. 이 기술관련 전세계 시장규모는 ASIC제품만을 고려해도 2000년에 약 120억불에 달할 것으로 예상되는데 현대전자는 99년부터 자사 System IC 개발제품, 첨단 주문형 반도체(ASIC) 및 Foundry 사업분야에 이 기술을 적용할 계획이다.
현대전자가 이번에 개발한 기술은 현재 주류를 이루고 있는 0.35㎛ 비메모리 제조기술에 비해 집적도면에서 2배 이상(칩 크기를 절반이하로 설계가능), 소비전력은 70% 미만으로 줄일 수 있어 충분한 경쟁력을 가진 제조기술이다. 특히 동사는 기존의 4MD램 생산라인에서 일부장비만을 교체하여 기술개발에 성공함으로써 저급 메모리 생산라인을 고부가가치 제품인 비메모리 제품 양산에 적용할 수 있는 성과를 거둠으로써 생산라인의 효율을 극대화할 수 있는 효과도 얻어냈다.
현대전자의 0.25㎛ 비메모리 제조기술은 전기적 유효 채널길이(Effective Channel Length) 0.18㎛이하, 게이트 산화막 두께 5㎚(나노미터: 10-9분의 1미터), 동작전압 2.5V/3.3V, 최소 회로선폭 0.25㎛급의 5층 금속선 배선기술 등의 단위공정을 채택하였다. 또한 동기술을 사용하여 제작된 Test Chip에서는 45psec(1psec=피코초: 10-12분의 1초)의 Gate Delay Time 및 일정수준 이상의 수율을 확보함으로써, 제품생산에 바로 적용할 수 있는 성과를 이룩하였다.
현대전자는 이미 매각된 미국 자회사 심비오스사와 공동 개발에 성공한 0.35㎛ Logic Technology 개발이후 불과 9개월 만에 0.25㎛ 비메모리 제조기술을 자체개발에 성공함으로써 비메모리 제조기술의 독자개발 능력을 한단계 끌어올렸으며, 현재 0.35㎛에서 0.25㎛으로 이전되고 있는 고부가가치 비메모리 시장에서의 제품 경쟁력을 한층 강화할 수 있게 되었다. 이로써 현대전자는 지난 9월 개발한 0.21㎛ 복합 메모리(MML) 제조기술과 더불어 System IC 사업분야에서 핵심이 되는 첨단 제조기술을 모두 확보 하였고, 이를 기반으로 비메모리 사업을 한층 강화해 나갈 예정이다.
1998년 12월 3일(木)
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