0.21미크론 복합칩 제조기술 개발

현대전자(대표: 김영환)가 첨단 주문형 메모리 복합칩(MML: Merged Memory Logic)의 제2세대 제조 기술을 개발했다. 이는 지금까지 개발된 복합칩 제조기술 중 가장 미세한 0.21미크론(100만분의 1미터)의 회로선폭 기술을 적용한 것으로, 이 기술을 이용할 경우 한 개의 칩에 최대 128메가비트의 D램과 고성능 로직 트랜지스터를 동시에 내장한 복합칩을 제조할 수 있다.(현재까지 개발된 복합칩 제조 기술은 독일 S사가 0.24미크론, 한국 S사, 일본 T사가 0.25미크론이다.)

현대전자는 작년 말 24메가급 0.35미크론 기술을 적용한 복합칩 기술을 개발한데 이어 8개월만에 128메가급 0.21미크론 메모리 복합칩 기술 개발에 성공함으로써 복합칩 시장에서 선두 기술을 확보하게 되었다. 메모리 복합칩은 로직칩(비메모리)과 메모리 칩이 따로 존재하는 경우의 단점인 입출력단 수의 제한, 잡음, 전력소모 등을 극복하기 위해 개발된 기술로, 현재 소수의 선두 D램 업체들만이 이 기술을 보유하고 있으며 2001년 경에 시장규모가 약 80억달러에 이르는 등 수요가 급성장할 것으로 전망되고 있다.

특히 차세대 정보통신기기가 요구하는 고집적, 고성능, 소형경량화 추세에 복합칩 기술이 핵심기술로 떠오르고 있으며 향후 여러 개의 칩을 하나로 통합시킨 시스템 온 칩(System On-a-Chip: 서로 다른 칩으로 구성된 시스템을 한 개의 칩으로 집적한 것)에도 적용할 수 있는 기반 기술이다.

현대전자가 개발한 이 기술은 기존의 D램 공정과 호환되기 때문에 추가 투자를 최소화할 수 있으며 공정수도 줄여 생산비를 낮출 수 있다. 또 기존 0.35미크론 기술에 비해 칩 사이즈를 절반이하로 줄일 수 있어 웨이퍼당 생산량도 2배 이상 늘릴 수 있는 장점이 있다. 데이터를 전송할 수 있는 버스폭이 1,024비트로 기존 32비트 D램 제품에 비해 30배 이상 늘어났으며, 처리속도도 기존 0.35미크론 기술에 비해 50 - 60% 정도 빨라 고속, 고용량의 데이터 처리가 가능하다.

또 기존 D램에 비해 1.5배 이상의 전류 구동능력을 가진 칩을 제조할 수 있는 공정을 추가로 개발하여 로직 프로세스와 동등한 성능과 스피드를 발휘할 수 있으며, 고속 특수D램 제조에도 적용이 가능하다. 0.21미크론 메모리 복합칩 제조기술은 3차원 그래픽 콘트롤러, 네트웍 콘트롤러, 디지털TV 칩셋 및 통신기기 등에 폭넓게 사용된다.

현대전자는 99년 상반기에 0.21미크론 복합칩을 양산할 계획이며, 이 기술을 응용한 S램 복합칩도 내년에 선보일 계획이다. 또 2000년까지 0.15미크론 기술을 적용한「시스템 온 칩」제조, 설계기술을 개발할 것이라고 밝혔다.

1998년 9월 28일(月)
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