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Technology/반도체 게시글 194건

  1. [반도체 특강] 절연층과 게이트 전압의 관계

    2019.07.17 | by 진종문 게이트 단자 내 절연층이 1개일 때는 외부에서 주어진 전압의 손실 없이 게이트 전압이 거의 대부분 기판(Substrate)에 전달됩니다. 그러나 절연층이 2개 이상일 때는 단자에 인가한 전압보다 게이트를 거쳐 기판에 전달되는 전압이 급격히 줄어들게 되는데요. 이는 2개의 절연막이 형성한 커패시턴스(Capacitance) 비율이 만들어낸 결과입니다. 절연막의 커패시턴스 값은 게이트 단자에 절연막을 만들 당시 외부에서 공급한 각종 공정상수들을 측정하여 계산해 내지요(이는 예측값으로, 실제값과는 오차가 발생할 수 있습니다). 이러한 커패시턴스의 값은 채널을 이동하는 전자 개수의 계산치와 합하여 드레인 전류를 도출해내는 중요한 요소가 됩니다. 오늘은 비휘발성 디바이스에 적용하..

  2. [게임 속 IT] 25년의 세월을 뛰어넘어 2D에서 3D로 '사무라이 쇼다운'

    2019.06.21 | by 임병선 검극 대전 격투 게임의 시초인 ‘사무라이 쇼다운’(일본명: 사무라이 스피릿츠) 시리즈가 약 11년 만에 새롭게 돌아옵니다. 이번 ‘사무라이 쇼다운’은 25년 전 출시되었던 ‘사무라이 쇼다운 2’(일본명: 진 사무라이 스피리츠 하오마루 지옥변)과 상당히 흡사하게 만들면서 다른 시리즈의 시스템을 도입하는 형태가 되었습니다. 그래도 기본적인 플레이는 ‘사무라이 쇼다운 2’와 비슷하죠. 25년의 세월로 2D 그래픽이 3D 그래픽으로 바뀌었고 해상도도 304x224에서 1920x1080으로 늘어났습니다. 그동안 그래픽 기술이 발전한 만큼, 게임 화면도 몰라보게 바뀌었죠. 이번 편에서는 게임 그래픽을 좌우하는 그래픽카드에 대해 알아볼까 합니다. 고성능 게임의 필수 요소, 그래픽카..

  3. [반도체 특강] 메모리 디바이스 구조와 전압 인가 방식

    2019.06.19 | by 진종문 반도체 칩을 동작시키려면 외부에서 여러 종류의 전압을 인가해야 합니다. 여기서 칩을 동작시킨다는 것은, 칩 내 수많은 트랜지스터(Tr)를 ON/OFF 시키거나 혹은 데이터를 셀에 저장하거나 지우도록 Tr 상태를 변화시키는 것입니다. Tr에 변화를 주려면 주로 4개의 전압이 개입해야 하는데, 이 전압들은 각각 Tr에 기여하는 정도가 다릅니다. 그리고 그 기여도에 따라 셀(Cell)이 집단 배치된 블록(Block) 속으로(혹은 기판으로) 수직축과 수평축 도선 통로를 따라 전압을 넣습니다. 이번 장에서는 메모리 소자들의 셀 배치와 그에 따라 각 셀에 입력되는 전압의 종류에 대해 간단히 살펴보겠습니다. 인가전압의 종류 nMOS 타입의 디램이나 플래시(NOR/NAND) 셀 1개..

  4. [게임 속 IT] 노트르담 대성당을 만날 수 있는 곳, <어쌔신 크리드: 유니티> 속 진

    2019.05.22 | by 임병선 지난 4월 15일 프랑스 파리에 있는 노트르담 대성당에서 화재가 일어나 건물 골조만 남는 일이 발생했죠. 그야말로 인류의 유산이 없어지는 순간이었습니다. 오늘 소개할 유비소프트의 ‘어쌔신 크리드: 유니티’에서는 18세기 프랑스 혁명을 다루고 있는 만큼, 파리의 주요 건축물의 모습을 접할 수 있는데요. 특히 다른 게임과는 달리 1:1 축척을 사용해 노트르담 대성당을 보다 자세히 재현해, 지금은 볼 수 없는 그 모습을 간접적으로나마 감상할 수 있습니다. 과거에는 게임 속에 구현되는 물체나 인물을 하나하나 제작했다면, 이제는 실제처럼 만들기 위해 스캔하는 방식을 적용하고 있습니다. 이렇듯 게임 속에서 실제처럼 보이는 사람이나 건축물이 어떻게 제작되고 구현되는지에 대해 알아볼..

  5. [반도체 특강] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이

    2019.05.15 | by 진종문 반도체 메모리 디바이스의 대표주자, 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash). 각각 저장 방법에 따라 응용 분야는 다르지만 데이터를 되도록 많이 저장하고, 빠르게 처리해야 한다는 목표는 동일합니다. 하지만 이 두 가지 목표를 한꺼번에 만족시키는 최적의 디바이스란 없죠. 그럼에도 불구하고 Technology가 고도화될수록 용량과 속도, 두 Index는 개별적으로 꾸준히 개선되고 있습니다. 낸드플래시는 디램에 비해 플로팅 게이트(Floating Gate)의 기여로 집적도를 크게 올릴 수 있지만, 동시에 플로팅 게이트의 영향으로 동작 속도는 떨어집니다. 반면, 디램은 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어 직접도는 떨어지지만 스위칭 속도는 매우 빠릅니다..

  6. [궁금한 반도체 WHY] ZNS SSD, 기존 SSD와 무엇이 다를까?

    2019.04.18 SK하이닉스는 최근 차세대 기업용 SSD 표준으로 예정된 ZNS SSD 솔루션을 업계 최초로 시연해 눈길을 끌었습니다. 이 솔루션에는 SK하이닉스가 자체 개발한 ZNS SSD 소프트웨어가 탑재돼 있다고 하는데요. ZNS란 Zoned Namespace의 약자로, 네임스페이스(Namespace)를 존(Zone) 단위로 나눠 사용하는 기술을 말합니다. 여기서 네임스페이스는 논리 블록으로 포맷할 수 있는 비(非) 휘발성 메모리의 양을 뜻하는데요. 컴퓨터 탐색기에 보이는 C:\/D:\가 각각 하나의 네임스페이스라고 이해하면 쉽습니다. 그렇다면 과연 ZNS 솔루션은 어떠한 방식으로 데이터를 효율적으로 저장할까요? 오늘 6탄에서는 ZNS 솔루션의 개념과 등장 배경에 대해 알아보도록 할게요. ZNS..