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Technology/반도체 게시글 211건

  1. [반도체 특강] 다(多)진법 반도체

    2020.01.20│by 진종문 지금까지 반도체는 경우의 수가 2개인 bit를 기준으로 시스템이 형성되고 발전해왔습니다. 이후 D램은 경우의 수가 3개, NAND는 4/8/16개 등으로 다(多)변화되었지요. 다만 D램에 3진법을 적용하려면 bit 체계를 trit 체계로 변경해야 하므로 향후 적용될 가능성은 희박합니다. 반면 NAND와 같이 경우의 수가 2진법 체계로 구성된 다(多)진법 반도체는 bit 체계를 연속적으로 발전시킬 수 있어 MLC, TLC, QLC 등 다양한 제품으로 개발되어 왔습니다. 오늘은 메모리 반도체가 어떠한 진법을 사용하는지를 알아보고, 이를 뒷받침하는 경우의 수가 bit 개념과 결합해 만들어내는 메모리 제품들을 쉽게 구분할 수 있는 시간을 마련했습니다. 1. 진법의 의미 숫자를 세..

  2. [반도체 특강] 반도체 캐리어(Carrier)에 대하여_다수 캐리어와 소수 캐리어

    2019.12.18│by 진종문 반도체 내 전류의 흐름을 발생시키는 것을 반송자 혹은 이동자라고 하며, 이는 주로 캐리어(Carrier)라 불립니다. 캐리어의 종류는 전자(Electron)와 정공(Hole, 전자가 없는 빈 공간)으로 나뉘지요. 캐리어는 자주 쓰이는 반도체 용어이지만, 정작 다수 캐리어와 소수 캐리어의 근원에 대한 논거는 부족한 면이 있습니다. 그래서 이번 장에서는 다수 캐리어와 소수 캐리어가 어디에서 왔는지, 그리고 이들 사이에는 어떠한 관계가 있는지에 대해 알아볼까 합니다. 1. 다수 캐리어와 소수 캐리어의 정의 반도체의 타입은 다수 캐리어의 종류에 따라 정해지는데, 크게 진성 반도체와 n형 반도체, p형 반도체로 나뉩니다. 다수 캐리어(majority carrier)란 이름과 같이 ..

  3. SK하이닉스, 128단 4D 낸드 기반 테라바이트급 고용량 솔루션 엔지니어링 샘플 출하

    2019.11.20 │128단 1Tb 4D 낸드 기반 솔루션으로 고부가 시장 공략 │주요 샘플 11월 고객 제공 완료, 조기 양산 추진 - 5G 스마트폰향 초박형(1.0mm) 1TB UFS 3.1 - 업계 최고 전력 효율 구현한 2TB cSSD - 차세대 데이터센터향 스토리지 표준 E.1L 16TB eSSD 낸드플래시 기술의 혁신적인 발달로 테라바이트급 메모리 시대가 성큼 다가왔다. 특히 스마트폰, PC, 서버 등에 채용되는 낸드플래시 솔루션 제품의 성능은 3차원 적층, 컨트롤러, 펌웨어 기술이 고도화되면서 전력소모, 속도, 안정성 등 모든 면에서 획기적으로 개선되고 있다. SK하이닉스는 지난 6월 세계 최초로 개발한 128단 4D 낸드플래시 기반의 솔루션 제품 샘플을 고객사에 전달했다. 뉴스룸은 최근 ..

  4. [반도체 특강] 상태밀도함수

    2019.11.13│by 진종문 드레인 전류는 캐리어(Carrier, 전자 혹은 정공)의 농도에 의해 좌우되기도 하는데, 캐리어 농도는 주로 캐리어의 확률적 개체수와 상태밀도에 의해 정해집니다. 미시세계에서의 캐리어는 전자와 정공이고, 캐리어의 확률적 개체수는 캐리어 알갱이들의 숫자와 위치에 따라 판단하는데요(이는 지난 챕터에서 다룬 페르미-디락분포확률함수로 추정할 수 있습니다). 이러한 캐리어들은 원자(단독원자 혹은 다원자)의 결합구조 속에 위치해있습니다. 이번 장에서는 단위공간과 단위에너지 안에서, 미시세계 내 캐리어들의 상태의 수를 나타내는 상태밀도(Density Of State, DOS)에 대해 알아보겠습니다. 원자의 결합구조는 에너지의 산물 고체를 형성하는 수많은 원자는 서로 결합하여 격자구조를..