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Technology/반도체 게시글 194건

  1. [반도체 특강] 와이어본딩(Wire Bonding), 칩을 바느질해 PCB에 연결하다

    2020.11.09|by 진종문 반도체 전(前)공정을 마친 웨이퍼에는 장당 500~1,200개의 칩(다이, Die)이 달라붙어 있습니다. 각각의 칩을 필요한 분야에 활용하기 위해서는 개별 칩으로 나누는 다이싱(Dicing) 공정을 진행한 뒤, 전자가 흐르도록 외부와 도선을 연결해야 하는데요. 이때 전기적 신호의 통로인 도선을 연결하는 방식이 바로 와이어본딩(Wire Bonding)입니다. 사실 전기적 통로 확보를 위해 와이어를 사용하는 것은 고전적인 방식으로써, 사용 빈도가 점점 줄어들고 있는 추세입니다. 최근에는 솔더볼(Solder Ball)이라는 작은 범프(Bump)를 이용한 접합 방식인 플립칩본딩(Flip Chip Bonding, 혹은 범프본딩(Bump Bonding)이라고도 함)과, 여기서 더 발..

  2. [반도체 특강] 다이본딩(Die Bonding), 패키지 기판에 칩을 올리다

    2020.08.19|by 진종문 반도체 후공정인 패키징(Packaging) 공정은 백그라인딩(Back Grinding) > 다이싱(Dicing) > 다이본딩(Die Bonding) > 와이어본딩(Wire Bonding) > 몰딩(Molding) 순으로 진행됩니다. 이러한 공정들은 패키징 기술의 변화에 따라 그 순서가 바뀌거나 서로 밀접하게 연결되어 합쳐지기도 하지요. 지난 편에서는 웨이퍼를 개별 칩(Chip)으로 나누는 다이싱 공정을 살펴보았는데요. 오늘은 다이싱 공정 후 웨이퍼에서 분리된 칩과 패키지 기판(Package Substrate, 리드프레임 혹은 PCB)을 접합하는 패키징 기술 중 하나인 다이본딩에 대해 알아보도록 하겠습니다. 1. 본딩(Bonding)이란? 반도체 공정에서 본딩(Bonding..

  3. [반도체 특강] 싱귤레이션(Singulation), 한 장의 웨이퍼가 여러 개의 반도체 칩으로 나뉘는 순간

    2020.07.24|by 진종문 웨이퍼는 반도체 칩이 되기까지 세 번의 변화 과정을 거칩니다. 덩어리 상태의 잉곳(Ingot)을 슬라이스해 웨이퍼로 만드는 것이 첫 번째 변화이고, 전공정을 통해 웨이퍼 전면에 트랜지스터가 새겨지는 것이 두 번째 변화이지요. 마지막으로 패키징 공정에서 웨이퍼가 개별 반도체 칩으로 나뉘어 짐으로써 비로소 반도체 칩이 됩니다. 후공정에 해당하는 패키지 제조공정에서는 웨이퍼를 육면체 모양의 개별 칩으로 나누는 다이싱(Dicing) 작업을 진행합니다. 이러한 웨이퍼의 개별칩화를 싱귤레이션(Singulation)이라고 하며, 웨이퍼 판을 하나하나의 직육면체로 만들기 위해 톱질(Sawing)하는 것을 다이소잉(Die Sawing)이라고 합니다. 최근에는 반도체의 집적도가 높아짐에 따..

  4. [반도체 특강] 백그라인딩(Back Grinding), 웨이퍼의 두께를 결정 짓다

    2020.06.15|by 진종문 전(前)공정 완료 후 웨이퍼 테스트를 마친 웨이퍼는, 백그라인딩(Back Grinding)을 시작으로 후(後)공정을 진행합니다. 백그라인딩이란 웨이퍼의 후면을 얇게 갈아내는 단계를 말하는데요. 이는 단순히 웨이퍼의 두께를 줄이는 것을 넘어, 전공정과 후공정을 연결해 앞뒤 공정에서 발생하는 문제들을 해결하는 역할을 하지요. 반도체 칩(Chip)은 얇을수록 더 높이 적층(Chip Stacking)하여 집적도를 높일 수 있는데, 집적도가 높아지면 기능이 저하되지만, 동시에 이를 통해 제품의 성능도 향상시켜야 하는 모순도 안고 있습니다. 따라서 웨이퍼 두께를 결정짓는 연삭(Grinding) 방식은 반도체 칩당 원가를 줄이고 제품 품질을 결정 짓는 변수 중의 하나가 됩니다. 1. ..

  5. [반도체 특강] 경박단소(輕薄短小), 반도체 패키지의 방향

    2020.05.18|by 진종문 반도체 Fab 공정을 마친 회로 패턴화된 웨이퍼는 온도 변화, 전기적 충격, 화학적 및 물리적 외부 데미지 등에 취약한 상태에 놓이게 됩니다. 이를 보완하기 위해 웨이퍼에서 분리된 칩을 둘러싸는 방식이 있는데, 이를 반도체 패키징(Packaging)이라고 합니다. 반도체 칩과 마찬가지로, 패키지 역시 ‘경박단소(輕薄短小, 가볍고 얇고 짧고 작음)’를 목표로 발전합니다. 단, 내부에 있는 반도체 칩에서 외부로 신호를 연결할 때 걸림돌이 되어서는 안 되지요. 패키지 기술은 패키지를 내부적으로 형성하는 내형기술(Internal Structure), 외부적으로 형성하는 외형기술(External Structure), 그리고 PCB(Printed Circuit Board 혹은 이하 ..

  6. [반도체 특강] 메모리 반도체의 신뢰성(Reliability)下- 교란성(Disturbance)과 간섭성(Interference) 편

    2020.04.09|by 진종문 메모리 반도체의 신뢰성(Reliability) 문제는 대부분 일정 시간이 흐른 뒤 발생하는 불량 유형입니다. 낸드 소자를 구성하는 일정 부분이 열화를 받아 제 기능을 못하는 상태를 말하지요. 반도체의 회로 선폭이 좁아지고 용량이 커질수록, 신뢰성 중 교란성(Disturbance) 및 간섭성(Interference) 불량이 많이 발생하게 됩니다. 특히 높은 전압을 사용해 프로그램을 동작(데이터를 저장)시킬 때 문제가 더욱 자주 나타나지요. 지난 시간에는 비휘발성 메모리 2D 낸드를 중심으로 반도체의 네 가지 신뢰성 중 보존성(Retention)과 내구성(Endurance)에 대해 살펴봤는데요. 오늘은 지난 편에 이어 교란성(Disturbance)과 간섭성(Interferen..