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PRESS CENTER/보도자료

하이닉스반도체, 세계 최초 40나노급 2기가비트 모바일 D램 제품 개발

2010.01.13

 

- 40나노급 고용량 모바일 LPDDR2 개발 Ø 1.2V 저전압 동작·저전력소비·1,066Mbps 고속 동작 속도 구현 가능
- 스마트폰, 스마트북, 태블릿 PC 등 차세대 애플리케이션에 최적화

 

 

하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 세계 최초로 40나노급 기술을 적용해 모바일 D램 제품인 2기가비트(Gb) LPDDR2(Low Power DDR2)를 개발했다고 13일 밝혔다.

 

이 제품은 세계 최초로 40나노급 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량으로, 모바일 제품 중 최저전압인 1.2V로 동작이 가능하다. 특히 전력 소비가 기존 모바일 제품인 LPDDR의 50% 수준, PC DDR2 제품의 30% 수준에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다.

 

또한 최대 1,066Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)의 경우 초당 최대 4.26기가바이트(GB), 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 8.52기가바이트의 데이터를 처리할 수 있다. 이 속도는 보통 영화 5~6편을 1초에 다운받을 수 있는 수준이다.

 

이번 제품은 업계 최대 이슈로 떠오르고 있는 스마트폰(Smartphone)과 스마트북 (Smartbook), 태블릿 PC(Tablet PC) 등의 다양한 차세대 애플리케이션에 지원이 가능하다. 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 올해 상반기부터 양산될 예정이다.

 

하이닉스는 지난해 세계 최초로 50나노급 2기가비트 LPDDR과 초고속 1기가비트 LPDDR2 등 고사양의 모바일 D램 제품을 연달아 출시한 바 있으며(아래 표 참조), 지속적으로 모바일 사업을 강화해 다양한 제품군을 확보해왔다. 하이닉스는 이러한 사업 역량을 바탕으로 고용량화∙저전력화∙고속화∙소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도해 나갈 예정이다.

 

한편 시장 조사기관인 아이서플라이(iSuppli)는 모바일 D램 시장이 2009년부터 2013년 까지 연평균 32.3%씩 급성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 2009년 66% 수준에서 2012년 80%까지 성장할 것으로 보고 있다.

 

하이닉스반도체는 범용 D램의 생산을 최소화하고 모바일 D램 등 고부가가치 제품의 생산을 증가시키고 있다. 2007년에 전세계 모바일 D램 시장의 7.1%를 차지했던 점유율의 경우, 올해 30% 이상 달성하는 것을 목표로 하고 있다.

 

2010년 1월 13일(水)
- 끝 –

 

<용어설명>

 

■ 싱글채널 (Single Channel)
메모리를 동작시키는 명령어 및 데이터 경로가 하나인 경우이다.

 ■ 듀얼채널 (Dual Channel)
메모리를 동작시키는 명령어 및 데이터 경로가 두개로, 각각 독립적으로 동작한다.

■ 스마트폰 (Smartphone)
인터넷 정보검색, 그림정보 송/수신 등의 기능을 갖춘 차세대 휴대전화 제품이다.

■ 스마트북 (Smartbook)
스마트폰의 솔루션과 넷북의 특성을 두루 갖춘 제품으로 5”-10”의 스크린 사이즈에 ARM기반의 CPU를 채용한 제품이다.

■ 태블릿 PC (Tablet PC)
노트북 PC보다 작은 형태로 자판을 이용해 글자를 입력하는 것과 달리 화면에 직접 입력할 수 있는 방식을 갖춘 PC이다.

■ 기가비트 (Gb) & 기가바이트 (GB)
- 비트 (bit, binary digit) ; 소문자로 표기 ‘b’
메모리가 기억하는 정보의 최소단위로, 이진법의 한 자리수로 표현되는 단위(0 or 1) 이다.
- 바이트 (Byte = 8 bit) ; 대문자로 표기 'b'
대문자로 표기 ‘B’ 정보를 표현하는 기본 단위로, 8개 비트를 묶어 바이트(Byte)라고 한다.