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WE DO/하이지니어

이석희 CEO, 메모리반도체의 미래와 SK하이닉스의 경영전략을 말하다

2021.03.22

 

│IEEE IRPS 기조연설에서 SK하이닉스 파이낸셜 스토리(Financial Story) 소개

│기술/사회/시대적 가치 담아 산업 변화 대응하고 초월적 협력으로 더 나은 미래 추구

│김진국(미래기술연구원), 차선용(DRAM개발) 담당도 주요 포럼에서 파이낸셜 스토리 알려 

 

이석희 CEO를 비롯한 SK하이닉스의 최고 경영진들이 파이낸셜 스토리(Financial Story)1)를 알리기 위해 발 벗고 나섰다.

이석희 CEO는 3월 22일(한국시간) IEEE IRPS 기조연설에 나서 SK하이닉스가 추구하는 파이낸셜 스토리를 업계 전문가들과 공유했다. IEEE IRPS(International Reliability Physics Symposium, 국제신뢰성심포지엄, https://irps.org/)은 미국, 유럽, 아시아 등 전세계 반도체, 통신, 시스템 등 마이크로 일렉트로닉스 엔지니어와 과학자들이 신뢰성 분야에서 새롭고 독창적인 연구 성과를 공유하는 59년 역사의 권위 있는 프리미어 컨퍼런스이다.

지난 1월 IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers, 국제전기전자학회)의 소비자기술소사이어티(CTSoc)가 수여하는 ‘2020 IEEE CTSoc 우수리더’로 선정된 이석희 CEO는 이날 ‘미래 ICT 세상을 향한 메모리반도체 기술의 여정(Memory’s Journey towards the Future Information & Communications Technology World)’을 주제로 기조연설을 진행했다. 동영상으로 진행된 기조연설에서 이석희 CEO는 앞으로 다가올 ICT 산업의 변화 속 반도체의 미래를 전망했고, 더 나은 ICT 세상을 구현하기 위해 SK하이닉스는 기술/사회/시대적 가치를 담아 기술 개발에 매진하며 경제적 가치(EV, Economic Value)와 함께 사회적 가치(SV, Social Value)를 동시에 추구하겠다는 의지를 밝혔다.

1) 파이낸셜 스토리(Financial Story): 고객, 투자자, 시장 등 다양한 이해관계자에게 SK 각 회사의 성장 전략과 미래 비전을 제시하고 신뢰와 공감을 이끌어 내며 기업가치를 포함한 총체적 가치(Total Value)를 높여 나가자는 SK그룹의 새로운 경영전략. SK하이닉스는 DRAM과 NAND 양 날개를 펼쳐 지속적인 사업 성장을 도모하는 한편, 환경·사회·지배구조(ESG)를 강화해 인류와 사회에 기여하겠다는 Financial Story를 수립하고 본격적으로 실행에 나섬.

 

“메모리반도체는 미래 ICT World의 중심… 첨단 기술로 더 나은 세상 만들겠다”

이석희 CEO는 코로나 19로 인해 이전부터 진행돼온 4차 산업혁명의 디지털 대전환이 가속되고 있다고 밝히며 기조연설을 시작했다. 정보통신기술 기반 원격교육, 재택근무 등 비대면 활동들이 일상화되면서 최근 데이터 사용량이 급증하고 있다.2) 특히 5G, 자율주행 자동차, AI 등 새로운 기술의 발전은 실시간으로 생성되고 소비되는 데이터의 폭발적인 증가를 촉발하고 있다. 이에 따라 전세계 데이터센터 시장은 지속 성장하고 있고, 여기에 필수적으로 요구되는 DRAM과 NAND의 수요 또한 대폭 증가할 것으로 예상되고 있다.3)

이처럼 서버, PC, 모바일 기기에 단순하게 사용되던 메모리반도체는 이제 다양한 기술 혁신 속에서 기능이 다변화되고 확대되는 추세다. 이런 이유로 앞으로 메모리반도체는 정보를 저장하고 처리하는 것 이상의 역할을 수행하며, 미래 ICT 세상에서 중심적인 역할을 하게 될 것이라고 이 CEO는 강조했다.

또한, 그동안 메모리반도체 산업이 다양한 애플리케이션과 고객의 니즈(Needs)에 대응하기 위해 ‘고용량(High Density), 초고속(High Speed), 저전력(Low Power)’ 구현에 집중해 왔다면, 앞으로 ‘4차 산업 혁명의 디지털 대전환’ 속에서 Smart ICT 환경에 적합한 기술혁신을 이루기 위해서는 높은 수준의 신뢰성(Reliability)을 갖추는 것도 중요하다고 설명했다.

아울러 이제 기업은 우리를 둘러싼 이해관계자의 페인 포인트(Pain Point)를 해소하는 즉, 에너지 부족, 기후변화 등 다양한 사회문제 해결에 앞장서야 하는 시점인 만큼, 메모리반도체 산업은 지금까지 제공해온 전통적인 가치에 더해 기술을 통해 더 나은 세상을 만들어야 한다는 시대적 소명 앞에 놓여 있다고도 밝혔다.

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▲ IEEE IRPS에서 기조연설 중인 SK하이닉스 이석희 CEO

나아가 SK하이닉스는 파이낸셜 스토리를 추구하며 첨단기술로 더 나은 세상을 만들어 나가겠다는 의지를 강조했고, 반도체 생태계에 속해 있는 모두의 공감과 지지, 그리고 동참을 제안했다.

“과거 미세화 경쟁 시대에는 주요 협력사와 수직적 관계로 기술 완성도와 생산성 문제를 해결해왔다면, 이제는 반도체 산업 생태계를 구축하고 있는 다양한 파트너들이 협력적인 동반자 관계를 맺어가야 하는 시대가 됐습니다. 고객(Customers)과 협력사(Suppliers)와의 협업을 기반으로 개방형 혁신(Open Innovation)4)을 지향하는 동반자적 관계를 구축하는 것이야말로 경제적 가치와 사회적 가치를 동시에 추구하는 새로운 시대를 만들 수 있는 방법입니다.

SK하이닉스는 기술 개발에 기술/사회/시대적 가치를 담아 우리 삶의 질을 향상시키고 환경 문제 해결에 적극적으로 동참하는 한편, 구성원 및 이해관계자의 행복 추구를 통해 더 나은 ICT 세상을 만들어가겠습니다. 기술을 바탕으로 시대정신을 구현하고 사회적 가치를 추구하는 데 동참해주시길 부탁합니다”

2) 작년 9월 대한민국 과학기술정보통신부가 밝힌 한국의 ‘2020 4차산업혁명 지표’에 따르면 2019년 6월 2,144만 개이던 IoT기기 서비스 가입 수는 1년 만에 2,607만 개로 21.6% 늘어났고, 2019년 4월 5,938TB(테라바이트)이던 5G 데이터 사용량은 1년 만에 14만 4,192TB로 무려 2,328% 증가했음.
3) 업계에서는 4G보다 10배~100배 이상 빠른 5G 기술이 보다 많은 데이터를 정확하고 빠르게 전송할 수 있는 환경을 제공할 수 있고, 자율주행 환경을 구현하기 위해 자동차 한 대에서는 하루에 4TB 이상의 데이터가 생성될 것으로 전망하고 있음. 또한 전세계 데이터센터는 연평균(2015~2025년) 15% 성장해 2025년에는 현재의 두 배 수준으로 더 커질 것으로 전망되고 있음. 통상 하나의 데이터센터가 요구하는 DRAM의 용량은 2,000만 GB, NAND는 7억 5,000만 GB에 달함.
4) 개방형 혁신(Open Innovation): 기업이 필요로 하는 기술과 아이디어를 외부에서 조달하는 한편, 내부 자원을 외부와 공유하면서 새로운 제품이나 서비스를 만들어내는 것을 의미. 미국 버클리 대학의 헨리 체스브로 교수가 2003년 저서를 통해 개념을 제시한 뒤 다양한 분야에서 널리 사용되고 있음.

 

“기술/사회/시대적 가치 실현, 반도체 기술 발전 위한 필수조건”

이 CEO는 SK하이닉스가 기술로 더 나은 미래를 만들기 위해 준비 중인 다양한 경영 전략을 공유했다. 특히 디지털 대전환(DT, Digital Transformation) 시대에는 △기술적 가치(Scaling Value) △사회적 가치(Social Value) △시대적 가치(Smart Value)가 반도체 기술 발전을 견인하게 될 것이라고 강조하며, 이를 실현하기 위해 분야별로 회사가 진행 중인 다양한 노력과 함께 신뢰성을 높이기 위한 방안도 발표했다.

‘기술적 가치(Scaling Value)’는 DRAM/NAND Tech. 진화를 위한 물질과 구조의 혁신 그리고 신뢰성 문제를 해결하며 산업과 고객의 요구에 부응하는 것을 의미한다.

이 CEO는 이러한 목표를 달성하기 위한 핵심과제로 DRAM은 △패터닝(Patterning) 한계 극복 △Cell Capacitor 용량 확보 △저(低)저항 배선 기술 확보를, NAND는 △HARC(High Aspect Ratio Contact) Etch 기술 확보 △Cell Dielectric 특성 확보 △Film Stress 문제 해결을 꼽았다.

DRAM 분야에서는 먼저 패터닝 한계 극복을 위해 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선 노광장비)를 도입하고 안정적인 EUV 패터닝을 위한 소재 및 감광액(Photoresist) 개발, 불량 관리 등 생산성 향상에 만전을 기하고 있다. 또한 셀 용량(Cs, Cell Capacitance)을 확보하기 위해, 유전체 두께 미세화, 높은 유전율의 새로운 소재 개발, 그리고 셀 구조의 혁신을 꾀하고 있다. 아울러 저저항 배선 기술을 확보하기 위해 차세대 전극/절연 물질을 모색하며, 새로운 공정을 도입하고 있다. 아울러 차량용 반도체처럼 고도의 신뢰성이 요구되는 응용처에는 소프트 에러(Soft Error)5)에 대한 내성을 높이기 위해 최적화된 공정 기술을 적용해 이를 극복하고 있다.

NAND 분야에서는 업계가 요구하는 고용량 기술을 실현하기 위해 높은 A/R(Aspect Ratio, 종횡비)을 구현할 수 있는 Etching(식각)기술 확보에 집중하고 있다. 또한, 전하를 효율적으로 저장하고 필요할 때 내보낼 수 있는 셀의 특성을 더 향상하기 위해 ALD(Atomic Layer Deposition)6) 기술을 도입하는 한편, 유전체 물질 혁신을 통해 전하를 일정량 이상 균일하게 유지하는 기술도 개발 중이다. Film Stress7) 문제 해결을 위해 박막(Film)에 가해지는 기계적인 스트레스 레벨을 관리하는 동시에 Cell Oxide/Nitride(ON)8) 물질 최적화도 진행하고 있다. 이에 더해 한정된 높이에 더 많은 Cell을 적층하면서 발생하는 Cell 간의 간섭 현상과 전하 손실(Charge Loss)을 개선하기 위해 isolated-CTN9)구조를 개발해 신뢰성을 높이고 있다.

이 CEO는 “DRAM과 NAND 각 분야에서 기술 진화를 위해 물질과 설계 구조를 개선하고 있으며, 신뢰성 문제도 차근차근 해결해가고 있다”며 “이를 바탕으로 성공적인 플랫폼 혁신이 이뤄진다면, 향후 DRAM 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, NAND 600단 이상 적층도 가능하다”고 말했다.

5) 소프트 에러(Soft Error): 에너지 이온 충돌로 인해 메모리 반도체에 저장돼 있는 데이터가 바뀌는 error를 의미함. 물리적인 손상은 아니며, 데이터를 re-write하거나 기기를 reset하면 정상적으로 동작하기에 soft error라 함. 외부로부터의 고 에너지 중성자 반응으로 이온화된 2차 입자나 방사성 불순물에서 방출되는 알파 입자가 주요 원인임.
6) ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착): 반도체 제조 공정 중 화학적으로 달라붙는 단원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술로 작은 Plug 안에 이종의 물질을 균질하고 빠르게 증착. 웨이퍼 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고, 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있음.
7) Film Stress: 웨이퍼 표면 특정부위에 가해지는 압력이나 힘 등에 의해 웨이퍼가 휘거나 말리는 현상
8) Cell Oxide Nitride: Floating gate에 저장된 전자가 빠져나가지 못하게 하거나 Tunneling된 전자가 Floating gate를 넘어가지 않도록 막아주는 박막 소재.
9) CTN(Charge Trap Nitride): 2D NAND 구조에서 Floating Gate에 해당하는 layer. SK하이닉스는 3D NAND를 구현하며 전하를 도체에 저장하는 Floating Gate 방식에서 셀 간 간섭 문제를 해결하기 위해 부도체에 저장하는 Charge Trap 방식으로 변경.

‘사회적 가치(Social Value)’는 기술을 이용해 경제적 가치뿐만 아니라 에너지, 질병, 환경 문제 등 다양한 사회 문제 해결에 기여하고, 이를 통해 사회적 책임을 다하는 것을 뜻한다. 앞으로 환경 문제, 에너지 부족 문제 특히, 기후변화가 더 심각해질 것으로 예상된다. 따라서 범지구적으로 지구온난화의 주범인 온실가스 배출량을 줄이기 위해 유럽, 미국, 중국을 포함한 많은 나라에서 넷제로(Net-Zero)10) 달성을 선언했다.

현재의 HDD(Hard Disk Drive) 기반 데이터 저장 시스템과 전력 생산 기술로는 갈수록 악화되는 지구 환경을 개선하기 어려운 것이 현실이다. 이에 메모리반도체 산업이 기술 혁신에 더욱 박차를 가해 이러한 문제 해결에 집중해야 한다고 역설했다.

SK하이닉스는 전세계 모든 데이터 센터의 HDD를 2030년까지 저전력 PLC/QLC 기반 SSD(Solid State Drive)로 교체한다면 BAU(Business As Usual)11) 기준 4,100만 톤의 온실가스 배출량을 감축할 수 있고, 이를 통해 38억 달러 이상의 사회적 가치를 창출할 수 있다고 예상하고 있다.

폭발적으로 증가하고 있는 데이터를 빠른 속도와 저전력 특성을 갖춰 연산해야 하는 사회적 요구에 따라 컴퓨팅과 메모리 체계도 변화하고 있다. 이에 따라 메모리는 속도나 저전력 등 하나의 특성에 더 특화된 헤테로지니어스 메모리(Heterogeneous Memory, 이기종 메모리) 기술로 발전하고 있다고 설명했다. 대표적인 메모리 솔루션은 고속 처리를 위한 HBM(High Bandwidth Memory)12), 전력소모가 월등히 낮은 ULM(Ultra Low Power Memory)13), 새롭게 부상하고 있는 인터페이스 솔루션인 CXL(Compute Express Link) 메모리14)이다.

이 CEO는 반도체 기술을 통한 사회적 책임은 여기에 그치지 않는다고 강조했다. 그는 “현재 솔루션만으로 나아가면 전세계에서 생산되는 에너지양의 한계에 도달하는 시점이 멀지 않을 것으로 예상된다”며 “이러한 문제를 해결하기 위해 에너지 소비를 크게 절감하면서도 동시에 컴퓨팅 성능 향상이 가능한 새로운 솔루션을 지속 제공하겠다”고 다짐했다.

10) 넷제로(Net-Zero): 인간의 활동에 의한 온실가스 배출량을 최대한 줄이고, 남은 온실가스를 흡수(산림) 및 제거해서 실질적인 배출량이 0(Zero)가 되는 것.
11) BAU(Business As Usual): 온실가스 감축을 위한 인위적인 조치를 취하지 않을 경우 예상되는 온실가스 총량
12) HBM(High Bandwidth Memory): 한번에 많은 데이터를 전송할 수 있는 고대역폭을 갖춘 제품으로 전력 소모 측면에서도 약 40%의 에너지 효율 개선 가능.
13) ULM(Ultra Low power Memory): SRAM을 대체하기 위한 목적으로 디자인된 제품으로 SRAM 대비 100~1,000배 정도 용량 증가가 가능하고 에너지 효율 측면에서는 HBM 대비 4~5배까지 개선 가능.
14) CXL(Compute Express Link) 메모리: 기존 메모리 인터페이스인 DDRx와는 별도로 'Compute Express link'라는 이기종 컴퓨팅 메모리 인터페이스에 Bandwidth & Capacity 확장 메모리, Persistent 메모리, Pooled 메모리 구현이 가능. CXL Consortium에 주요 Datacenter industry Eco. Player들이 참여 중임.

‘시대적 가치(Smart Value)’는 디지털 대전환 이후의 시대에 부합하는 지능형 메모리 솔루션을 완성해 다가올 새 시대를 준비하는 것을 의미한다. 미래에는 AI 기술을 기반으로 모든 기기가 통합돼 우리 주변 모든 것에 Smart ICT 기술이 사용되는 세상이 될 것이다. 이는 반도체, AI, 통신 기술들이 융합하여 훨씬 적은 전력으로 더욱 빠르게 모든 사회가 연결되는 초연결시대(Hyper Connected Era)를 의미한다.

이 같은 미래에 대비하기 위해 현재 SK하이닉스에서 진행되고 있는 ‘파괴적 혁신’을 소개하면서, 포스트 폰 노이만(Post Von Neumann) 시대 메모리반도체의 진화 방향도 함께 제시했다.

이 CEO는 우선 AI 기술을 기반으로 모든 기기가 통합되는 New ICT 시대의 메모리반도체는 성능 한계 극복을 위해 메모리와 처리장치(Logic)가 융합되는 방향으로 발전할 것이라고 전망했다. 이는 DRAM의 기능에 CPU의 일부 연산 기능을 부여하는 것을 의미한다. 즉, HBM(High Bandwidth Memory) 단계에서는 CPU와 Memory 간 채널을 증가시켜 속도를 높였다면, PNM(Process Near Memory)은 하나의 모듈 내에서 CPU와 메모리가 존재해 속도를 높이게 된다. 이후 PIM(Process In Memory)은 하나의 패키지 내에 CPU와 Memory가 존재해 더욱 빨라질 것이며, 궁극적으로 CIM(Computing in Memory)은 하나의 다이(Die) 내에 CPU와 Memory가 결합되어 더 빠르고 높은 성능의 시스템 구현이 가능해지게 된다.

나아가 포스트 폰 노이만 시대의 컴퓨팅 메모리 기술은 뉴로모픽(Neuromorphic) 반도체15)로, 스토리지 기술은 DNA 반도체16)와 같은 형태로 통합(Integration)될 것이라 전망했다. 이는 인간의 뇌를 구동하는 최소한의 전기 에너지만으로도 초고속 연산과 저장이 가능하다는 것을 의미한다. 그렇게 되면 수 만평 규모의 데이터센터를 운영하지 않고도 작은 방 하나 면적에서 동일 규모의 데이터를 저전력으로 저장하고 처리할 수 있게 될 것이며, 이를 통해 진정한 Smart World 구현이 가능할 것이라는 의견을 피력했다.

이 CEO는 “SK하이닉스는 메모리반도체의 변화에 대응하기 위해 진화의 길(evolutionary path)과 혁신(revolutionary path)의 길을 걸어가며 미래를 준비하고 있다”며, “Conventional Memory에는 기술적 가치(Scaling Value)를, Next Generation Memory와 Intelligent Memory에는 사회적 가치(Social Value)를, 그리고 포스트 폰 노이만 시대에는 시대적 가치(Smart Value)를 담기 위해 더욱 활발히 연구개발에 매진하겠다”고 미래를 위한 의지를 강조했다.

15) 뉴로모픽(Neuromorphic): ‘뉴런(Neuron)의 형태(Morphic)’라는 의미로 뇌신경을 모방한 반도체.
16) DNA 반도체: 이론적으로 1㎟당 약 10억 GB의 데이터를 저장할 수 있는 DNA의 데이터 저장 원리를 인공적으로 구현한 반도체. DNA 반도체는 기존 0과 1로 이뤄진 이진법에 기반한 데이터를 아데닌(Adenine), 구아닌(Guanine), 시토신(Cytosine), 티민(Thymine) 등 DNA의 네 가지 염기서열로 변환하는 방식으로 데이터를 저장.

 

김진국·차선용 담당도 올 초 반도체 학술 행사에서 파이낸셜 스토리 전파

이에 앞서 미래기술연구원 김진국 담당과 DRAM개발 차선용 담당도 주요 반도체 학술 행사의 기조연설을 통해 파이낸셜 스토리 확산에 동참했다.

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▲ 한국반도체학술대회에서 발표 중인 미래기술연구원 김진국 담당

김진국 담당은 지난 1월 26일 열린 제28회 한국반도체학술대회에서 ‘반도체 기술의 미래(Future of Semiconductor Technology)’를 주제로 기조강연에 나서, SK하이닉스의 파이낸셜 스토리와 함께 현재 추진하고 있는 메모리반도체 사업 전략도 설명했다.

“이제 메모리반도체 산업은 지금까지 그래왔던 것처럼 미세화 한계를 극복해 가며 고객 니즈(Needs)에 맞는 가치를 제공해온 전통적 임무에 더해 에너지 환경 문제를 비롯한 사회적 책임에 대해 응답해야 하고 기술을 통하여 더 나은 세상을 만들어야 하는 시대정신에도 부응해야 하는 소명이 우리 앞에 놓여있다고 판단합니다”

데이터의 폭발적인 증가의 한계를 극복하기 위한 기술전략으로 컴퓨팅 및 메모리 체계의 변화가 진행 중이다. CPU(Central Processing Unit, 중앙처리장치)의 경우 Multi-Core, Many-Core, 헤테로지니어스 컴퓨팅(Heterogeneous Computing, CPU와 GPU를 혼합하는 등의 이종결합 컴퓨팅 기술) 형태로 발전하고 있으며 메모리도 용량과 속도가 동시에 증가하는 방향에서 용량 또는 속도에 특화한 헤테로지니어스 메모리(Heterogeneous Memory) 기술이 요구된다.

SK하이닉스는 이러한 변화에 대응하기 위해 고속 처리, 저전력, 이기종 컴퓨팅 상호연결 기술 메모리 등을 각각 준비하고 있다고 전했다.

더불어 MEMS(Micro-Electro Mechanical Systems, 미세전자제어기술), RFID(Radio Frequency Identification, 무선주파수 기반 자동인식기술), 센서(Sensor), 바이오칩(Bio-Chip)까지 결합하는 헤테로지니어스 패키징(Heterogeneous Packaging) 또는 통합(Integration)에서도 메모리는 중심적인 역할을 수행할 것이라고 말했다.

김 담당은 “반도체 기술을 통한 우리의 사회적 책임은 여기서 그치지 않고 한발 더 나아가 환경과 에너지에 대한 부분까지 도전하고 있다. SK그룹은 환경문제에 대한 원천적 해결을 위해 RE10017)에 가입하고, 2050년까지 사용 전력량의 100%를 재생 에너지화 할 계획이다”고 전했다.

17) RE100(Renewable Energy 100): 사용하는 전력을 100% 재생에너지(Renewable Energy)로 조달하겠다는 선언. 재생에너지란 풍력, 지열, 연료전지, 수소에너지 등을 지칭. 이를 통해 기업은 기존 석유나 석탄 등 전기를 생산하기 위해 배출하는 탄소를 절감함으로써 좀 더 친환경적인 방법으로 공장을 가동하고 제품을 생산할 수 있음.

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▲ 세미콘 코리아 2021에서 발표 중인 DRAM개발 차선용 담당

차선용 담당은 지난 2월 3일 세미콘 코리아(SEMICON KOREA) 2021에서 ‘메모리반도체 산업의 ESG(Economic, Social and Environmental Sustainability in Memory)’를 주제로 기조연설에 나서, 반도체 산업에서 환경 보전의 필요성을 강조하고 SK하이닉스가 이를 위해 어떤 노력을 하고 있는지 밝혔다.

“데이터를 전송하는 데에는 엄청난 양의 에너지가 필요하며, 사용되는 데이터양이 증가할수록 전력소모뿐만 아니라 온실가스 배출량도 늘어난다. 메모리반도체를 개발하는 입장에서 환경 영향을 고려하는 것은 반드시 필요한 일이며, 앞으로는 반도체 산업도 에너지 절감을 통해 환경 보전에 대한 사회적 책임을 더욱 강화해야 한다”

SK하이닉스는 SK관계사와 함께 국내 최초로 RE100에 가입하고, 2050년까지 반도체 제조과정에서 필요한 모든 전력을 재생에너지로 대체하겠다고 선언했다. 이런 노력과 함께, 온실가스 배출량 절감을 위해 HBM(High Bandwidth Memory, 고대역 메모리), ULM(Ultra Low power Memory, 초저전력 메모리), AiM(Acceleration in Memory, 가속 메모리)18) 등의 반도체 기술을 개발하고 있다.

HBM, ULM, AiM 제품 모두 SoC(System on Chip)19) 와 얼마나 많이 가까워지는지, 또는 어떻게 융합하는지에 따라 성능과 파워 측면에서 개선 폭이 크다. 따라서 이런 포트폴리오를 확장해나갈 계획이며, 기존의 스탠더드 제품 외 다양한 솔루션 제품을 개발하기 위해 다양한 협업을 하고 있다.

차 담당은 “에너지 절감을 통해 환경 보전에 사회적 책임을 더욱 강화하기 위해 학계, 반도체, 장비, SoC, 메모리, 소프트웨어 등 각 분야의 전반적인 협력이 필요하며, SK하이닉스는 이에 적극 협업하겠다”고 강조했다.

18) AiM(Acceleration in Memory): 기존 CPU가 하던 역할 중 일부를(ex. 연산 기능) 메모리 안에 넣는 Offloading 개념을 적용한 제품으로 PIM의 일종. 시스템 내 Memory로 인한 성능 Bottleneck 개선이 가능.
19) SoC(System on Chip): 정보통신기기에 쓰이는 핵심 부품들을 하나의 반도체에 집약하여 기존에 여러 개의 칩이 수행하던 연산 기능, 데이터의 저장 및 기억, 아날로그와 디지털 신호 변화 등을 하나의 칩에서 실현할 수 있도록 함.